Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U004475, 0108U010557 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виробництва потужних високовольтних кремнієвих НВЧ p-i-n діодів імпульсного режиму роботи для перспективних систем широкого призначення Назва етапу роботи Керівник роботи Кривуца Валентин Антонович, Дата реєстрації 29-12-2010 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу За результатами виконання ДТР розроблені наукові та технологічні рішення для створення базових технологій виробництва потужних високовольтних кремнієвих НВЧ p-i-n діодів імпульсного режиму роботи з пробивною напругою в діапазоні від 1500 до 2000 В. Діоди призначені для комутації НВЧ сигналу в діапазоні частот 1-40 ГГц у складі перспективних систем широкого призначення. Опис продукції Наукові та технологічні рішення для створення базових технологій виробництва потужних високовольтних кремнієвих НВЧ p-i-n діодів імпульсного режиму роботи з пробивною напругою в діапазоні від 1500 до 2000 В. Діоди призначені для комутації НВЧ сигналу в діапазоні частот 1-40 ГГц у складі перспективних систем широкого призначення. Автори роботи Басанець В.В. Болтовець М.С. Голинна Т.І. Журавець Л.В. Коростинська Т.В. Лєдєньова Т.М. Личман К.О. Миколаєнко В.І. Слєпова О.С. Суворова Л.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити