Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U005112, 0107U006752 , Науково-дослідна робота Назва роботи Самоорганізація просторово-періодичних нанооб'єктів в напівпровідникових системах. Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Дата реєстрації 08-06-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом мікроспектроскопії КРС з локальною роздільною здатністю менше 1 мкм проведено дослідження Ge/Si квантових точок вирощених на буферних шарах Si1-xGex різного складу. Встановлено, що збільшення концентрації германію в додатковому проміжному буферному Si1-xGex шарі приводить до збільшення розмірів і покриття поверхні острівцями. При цьому виникає їх упорядкування в площині росту і покращується кристалічна структура. Значне збільшення об'єму острівців відбувається за рахунок сильної дифузії атомів Si і Ge з проміжного шару і нижнього Si буфера і при концентрації германію в проміжному шарів 22%, значна частина його об'єму переходить в острівці. Концентрація германію в сформованих острівцях і буферному шарі мало відрізняється при зміні вмісту германію у вихідному проміжному шарі від 18% до 22%. Встановлено, що при вирощуванні острівців на проміжних Si1-xGex буферних шарах велике значення для їх результуючої структури має кінетика росту, особливістю якої є значна дифузія матеріалу з проміжних шарів в острівці, при цьому ефективність цього процесу зростає при збільшенні частки германію. Опис продукції Методом мікроспектроскопії КРС з локальною роздільною здатністю менше 1 мкм проведено дослідження Ge/Si квантових точок вирощених на буферних шарах Si1-xGex різного складу. Встановлено, що збільшення концентрації германію в додатковому проміжному буферному Si1-xGex шарі приводить до збільшення розмірів і покриття поверхні острівцями. При цьому виникає їх упорядкування в площині росту і покращується кристалічна структура. Значне збільшення об'єму острівців відбувається за рахунок сильної дифузії атомів Si і Ge з проміжного шару і нижнього Si буфера і при концентрації германію в проміжному шарів 22%, значна частина його об'єму переходить в острівці. Концентрація германію в сформованих острівцях і буферному шарі мало відрізняється при зміні вмісту германію у вихідному проміжному шарі від 18% до 22%. Встановлено, що при вирощуванні острівців на проміжних Si1-xGex буферних шарах велике значення для їх результуючої структури має кінетика росту, особливістю якої є значна дифузія матеріалу з проміжних шарів Автори роботи Джаган Володимир Миколайович Кладько Василь Петрович Коломис Олександр Федорович Корбутяк Дмитро Васильович Крюченко Юрій Володимирович Литвин Оксана Степанівна Литвин Петро Марянович Прокопенко Ігор Васильович Рудько Галина Юріївна Стрельчук Віктор Васильович Юхимчук Володимир Олександрович Янчук Ігор Богданович Яремко Анатолій Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити