Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001351, 0110U004655 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та розвиток методів субмікронного топографування та паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 31-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В результаті виконання проекту розроблено методики і апаратне забезпечення діагностичних методів високороздільної оптичної спектроскопії і електронно-дифракційної мікроскопії отримання просторових карт розподілу структурної досконалості і деформацій в мікро- і наноструктурах матеріалів IV групи. Методами мікро-КРС та інфрачервоної Фур'є спектроскопії отримані просторові топограми розподілу домішок і деформацій в полікристалічних алмазних плівках. На основі топограм скануючої інфрачервоної Фур'є спектроскопії досліджено неоднорідний характер розподілу легуючих домішок (атомів бору і азоту) в алмазних плівках. Із аналізу карт C-H валентних смуг поглинання sp3-CH2 при 2850 см-1, sp3-CH2 при 2925 см-1 та алмазного двохфононного поглинання встановлено просторовий розподіл гідрогенізованого алмазоподібного аморфного вуглецю в міжзеренних областях алмазів типу IIa. Методом скануючої конфокальної мікро-КРС спектроскопії отримані карти розподілу пружних деформацій в локальних субмікронних областях мікрокристалічних алмазних зерен полікристалічних плівок з різною кристалографічною орієнтацією зерен та концентраціє легуючої домішки (атоми азоту і бору). Розроблено методи субмікронного топографування структури, структурної досконалості і деформацій в індивідуальних Si квантових нитках діаметром від 100 нм до 1 мкм. Вперше отримані карти просторової локалізації кубічної (Si I) і гексагональної (Si IV) фаз Si в індивідуальній Si квантовій нитці і знайдено значні зміни частоти Si I фононної смуги і, відповідно, пружних деформацій вздовж окремої нанонитки. Вперше з роздільною здатністю нанометрового масштабу отримані двохмірні карти розподілу пружних деформацій для структур мікро-сенсорів на основі набору кремнієвих квантових ниток з діаметром 500 нм, виготовлених літографічним методом по технології кремній-на-ізоляторі. Опис продукції Результати наукових досліджень будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить проводити топографування динаміки зміни параметрів наноприладів, як функції електричного поля, струму, чи неоднорідного локального просторового розподілу температурних полів. На практиці розроблені методи необхідно застосовувати при виготовлені елементної бази опто- і наноелектронних пристроїв з використанням методів нанотехнологій. Розробка та введення в дію відповідних методик і апаратури для нанодіагностики матеріалів і приладів сприятиме поповненню дохідної частини бюджету України шляхом забезпечення виконання замовлень підприємств та організацій різної форми власності, створенню робочих місць, підвищенню якості підготовки фахівців вітчизняних університетів. Відсутність методик нанодіагностики і отримання просторових топограм із субмікронною ро Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Брикса Вадим Петрович Валах Михайло Якович Гонтар Олександр Григорович Куліш Микола Полікарпович Ніколенко Андрій Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити