Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U004291, 0109U001162 , Науково-дослідна робота Назва роботи Одержання тонких плівок CdTe, CdS, СuIn1-хGахSе2 та створення на їх основі сонячних елементів. Назва етапу роботи Керівник роботи Ільчук Григорій Архипович, Дата реєстрації 02-02-2011 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Вперше показано, що отримання плівок з лінійною залежність між товщиною плівки і кількістю елементарних осаджень можна досягнути хімічним поверхневим осадженням. Розроблено основи технології хімічного поверхневого осадження стехіометричних плівок CdS (d=30-100 нм) з водних розчинів солей кадмію (CdSO4, CdCl2, CdI2) за температур Т<363 К. Одержано полікристалічні плівки CdS з малою концентрацією поверхневих макродефектів (107см-2), що володіють напівпровідниковими властивостями Доведено, що хімічним осадження можна одержати тонкі напівпровідникові плівки твердих розчинів CuInSe2xS2(1-x). Розвинуто фізико-хімічні основи технології одержання таких плівок, альтернативних до СuIn1-хGахSе2. Встановлено умови одержання тонких суцільних напівпровідникових плівок твердого розчину CuInSе0,24S1,76 із шириною забороненої зони Eg~1,50 еВ, придатних для виконання функції поглинаючого шару в гетеропереході із одержаними раніше плівками CdS. У відомому методі казізамкнутого об'єму (КЗО), запропоновані нові режими, що дозволяють отримати полікристалічні плівки p-CdTe з рівномірним розподілом складу та товщини, в умовах залишкового тиску газу Р=4,5·10-4Па. Одержано гомогенні структуровані полікристалічні плівки кадмію телуриду товщиною d=0,76-38,52 мкм з хаотично орієнтованими кристалітами. Запропоновано лабораторну технологію отримання фоточутливих гетероструктур n-СdS/p-CdTe та n-СdS/p-CuInSе2xS2(1-x) (х=0,12-0,32), які характеризуються доброю відтворюваністю випрямних та фотоелектричних властивостей у широкому спектральному діапазоні (1,37-2,5 еВ). Встановлено, що вміст селену у плівках твердих розчинів CuInSе2xS2(1-x) контролює протяжність спектрального діапазону (1,485-1,374еВ) високої фоточутливостi створених гетероструктур. Опис продукції Розвинуто фізико -хімічні основи технології виготовлення плівкових сонячних комірок шляхом проведення комплексу досліджень для одержання тонких плівок напівпровідникових матеріалів CdTe, CdS, СuIn1-хSхSе2 з використанням для цього різних методів осадження плівок, формування на їх основі фотоперетворюючих структур (бар'єрів Шотткі, гетеропереходів), показані можливості оптимізації їх фотоперетворюючих властивостей Автори роботи Ільчук Григорій Архипович Антонюк Петро Васильович Горбова Оксана Іванівна Кориневський Микола Антонович Кусьнеж Віктор Вацлавович Лукіянець Богдан Антонович Лукашук Сергій Володимирович Петрусь Роман Юрійович Попович Михайло Васильович Токарев Станіслав Вікторович Українець Валентин Остапович Українець Наталя Андріївна Чекайло Микола Володимирович Шаповал Павло Йосифович Ющук Степан Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити