Реєстраційний номер
0211U004300,
0109U001143
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології оптично-активних структур оптоелектроніки на основі неорганічних, органічних напівпровідників та рідкокристалічних матеріалів з нанорозмірними домішками
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Готра Зенон Юрійович,
Дата реєстрації
02-02-2011
Організація виконавець
Національний університет "Львівська політехніка"
Опис етапу
Розроблено технологічний процес формування інтеркальованих нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe методом іонного розпилення Ga в аміачній атмосфері у схрещених електричному і магнітному полях. Визначені технологічні умови створення рідкокристалічних середовищ із нанорозмірними включеннями. Проведена модифікація параметрів напівпровідникових структур методом інтеркаляції рідкого кристала в шаруваті напівпровідники для розробки пристроїв запам'ятовування інформації.
Опис продукції
Технологія формування інтеркальованих нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe на основі методу іонного розпилення Ga в аміачній атмосфері у схрещених електричному і магнітному полях для пристроїв запамятовування інформації. Отримані технологічні умови створення з заданими параметрами рідкокристалічні оптично-активні структури з нанорозмірними включеннями для пристроїв відображення інформації. Реалізована методика модифікації параметрів напівпровідникових структур методом інтеркаляції рідкого кристала в шаруваті напівпровідники.
Автори роботи
Возняк Л.Ю.
Волинюк Д.Ю.
Готра Зенон Юрійович
Касянова Т.А.
Комарницький Ю.
Костів Н.В.
Коцун В.І.
Левенець В.В.
Микитюк З.М.
Петрашак В.
Стахіра П.Й.
Фечан А.В.
Цуканова Л.М.
Черпак В.В.
Шимчишин М.І.
Ясиновська О.Й.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
