Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U007147, 0109U007085 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка наукових основ технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра з використанням методу Чохральського та термообробок, які керують станом атомів кисню в кристалічній гратці Назва етапу роботи Керівник роботи Мачулін Володимир Федорович, Дата реєстрації 29-03-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Науково-дослідна робота присвячена розробці наукових основ технології отримання стабільного, бездислокаційного, ненапруженого кремнієвого матеріалу. В проекті вирішуються такі основні проблеми: дослідження динаміки преципітації кисню, а також структурного стану кисню у кремнієвих зразках з різною густиною та типом дефектів; встановлення взаємозв'язку між концентрацією й типом цих мікродефектів та динамікою утворення і структурою кисневих преципітатів; встановлення механізму утворення структурних дефектів у кремнії, що містить кисень, в процесі росту кристалів і наступних відпалів; розробка фізичної моделі процесів преципітації кисню у монокристалах кремнію з урахуванням впливу концентрації та типу мікродефектів. Для зміни дефектного стану кристала проводяться багатоступеневі пічні і променеві відпали. Основні методи дослідження: ІЧ-спектроскопія, високочутлива рентгенівська дифрактометрія і топографія, оптична і просвітлююча електронна мікроскопія, визначення довжини дифузії і часу життя неосновних носіїв заряду, комп'ютерна симуляція. Опис продукції Науково-дослідна робота присвячена розробці наукових основ технології отримання стабільного, бездислокаційного, ненапруженого кремнієвого матеріалу. В проекті вирішуються такі основні проблеми: дослідження динаміки преципітації кисню, а також структурного стану кисню у кремнієвих зразках з різною густиною та типом дефектів; встановлення взаємозв'язку між концентрацією й типом цих мікродефектів та динамікою утворення і структурою кисневих преципітатів; встановлення механізму утворення структурних дефектів у кремнії, що містить кисень, в процесі росту кристалів і наступних відпалів; розробка фізичної моделі процесів преципітації кисню у монокристалах кремнію з урахуванням впливу концентрації та типу мікродефектів. Для зміни дефектного стану кристала проводяться багатоступеневі пічні і променеві відпали. Основні методи дослідження: ІЧ-спектроскопія, високочутлива рентгенівська дифрактометрія і топографія, оптична і просвітлююча електронна мікроскопія, визначення довжини дифузії і часу життя неосновних носії Автори роботи Войтович Марія Володимирівна Злобін Сергій Олександрович Кладько Василь Петрович Лісовський Ігор Петрович Литовченко Володимир Григорович Мачулін Володимир Федорович Саріков Андрій Вікторович Слободян Микола Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити