Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U008861, 0110U006229 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження властивостей і домішкового складу кремнію та деградації його характеристик під впливом радіації. Оптимізація технології вирощування кристалів для отримання фотоперетворювачів з підвищеними експлуатаційними характеристиками. Назва етапу роботи Керівник роботи Хируненко Людмила Іванівна, Дата реєстрації 10-11-2011 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єктом дослідження є монокристалічний кремній і сполуки кремній-германій, фотодіоди. Метою роботи є дослідження електрофізичних параметрів монокристалічних зразків кремнію і сполук кремній-германій з метою подальшого їх використання для виготовлення фотодіодів; вивчення впливу германію на процес створення діелектричного окисного шару SiO2 на поверхні платівок Si1­xGex. В роботі проведено дослідження вихідних електрофізичних властивостей платівок монокристалічних Si і Si1­xGex (х=0.038, 0.07), які в подальшому будуть використані для виготовлення фотодіодів. Дослідження проводились з використанням інфрачервоної Фур'є спектроскопії, ефекту Холу, релаксації фотопровідності, чотирьохзондового методу. Визначені основні параметри: концентрація легуючої домішки, значення питомого електроопору, рухливості основних носіїв заряду і часу життя неосновних носіїв заряду, визначено вміст кисню і вуглецю. Проведені виміри однорідності розподілу питомого електроопору по площині платівок промислового Si і Si1­xGex показали, що до концентрацій германію х=0.10 спостерігається підвищення його однорідності розподілу порівняно з кремнієм майже вдвічі. Показано, що швидкість утворення діелектричного шару окислу SiO2 на поверхні платівок Si1­xGex дещо знижується порівняно з кремнієм. Тривалість створення необхідної товщини окисного шару в процесі виготовлення фотодіодів повинна корегуватись на вміст германію в кремнії. На основі аналізу існуючих технологій виготовлення і можливостей обрано схему і технологію виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних платівок Si1­xGex. Проведені оцінки температури дифузії та глибини дифузії фосфору в сполуках Si1­xGex. Опис продукції Однією з альтернатив отримання електроенергії, крім природних ресурсів, є використання сонячних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП), які на даний час широко використовуються як для наземних, так і космічних цілей. 93% ФЕП виробляється з кремнію легованого бором. Коефіцієнт корисної дії промислових зразків становить (15-16)% і вже в перші декілька годин роботи відбувається деградація параметрів перетворювачів, виготовлених на основі Si легованого бором - вони втрачають 10% своєї ефективності. В світовому масштабі це дуже велика втрата енергії. На даний момент існує дві задачі - дослідження природи дефектів, які приводять до деградації парaметрів, і розробка методу пригнічення утворення цих центрів. Встановлено, що швидкість деградації залежить від вмісту кисню і бору в матеріалі, що дало можливість зробити висновок, що до складу дефекту входять і бор, і кисень. Вважається, що утворення дефектів відбувається внаслідок дифузії кисневих дефектів і їх взаємодіїї з атомами бору. Одним із способів сповільненн Автори роботи Дуванський Андрій Володимирович Помозов Юрій Васильович Самочорних Сергій Володимирович Соснін Михайло Георгійович Хируненко Людмила Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити