Реєстраційний номер
0211U009534,
0110U001733
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Безконтактний контроль струмонесучих елементів електротехнічних пристроїв на основі високотемпературних надпровідників за допомогою магнетометрів надвисокої чутливості
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Ларкін Сергій Юрійович,
Дата реєстрації
27-12-2011
Організація виконавець
Державний науково-дослідний центр "Фонон"
Опис етапу
Розроблено теорію мікроскопічного тунелювання в твердотільних гетероструктурах, що складаються з немагнітних металевих плівок та двох спінових фільтрів. Виконані детальні чисельні розрахунки впливу магнітного поля на електропровідність гетероструктури, створеної на базі діхалькогеніду європія. Розроблені нові ефективні датчики магнітного поля (твердотільні гетероструктури, що складаються з немагнітних плівок та двох шарів феромагнітного ізолятору) для контролю струмонесучих елементів енергетичних пристроїв з високотемпературними надпровідниковими з'єднаннями. Встановлено, що ці датчики мають найбільшу чутливість серед сенсорних елементів, запропонованих для цієї мети. Результати роботи виявили принципову можливість створення та практичного застосування ефекту гігантського магнітоопору для безконтактного контролю струмонесучих елементів електротехнічних пристроїв на основі високотемпературних надпровідників. Розроблено методику виготовлення SNS джозефсонівських переходів на основі плівок високотемпературного ітрій-барієвого надпровідника, що використовує два принципово нових етапи - фокусоване іонне опромінення та заповнення утвореної канавки ненадпровідним вольфрамом. Отримані наноструктури демонструють безгістерезисні вольт-амперні характеристики RSJ-типу. Такі SNS контакти можуть бути досить просто включені у великі інтегральні схеми на основі джозефсонівських гетероструктур.
Опис продукції
Розроблена технологія виробництва високотемпературних джозефсонівських нанопереходів методом іонного випромінювання. Стандартний процес фотолітографії та пучок високоенергетичних іонів аргону використовуються для створення мікромістка з ітрій-барієвого купрату. На ньому фокусується іонний пучок для того, щоб сформувати канавку шириною менше ста нанометрів. Вона заповнюється осаджуваним вольфраму, завдяки чому два прилеглих надпровідники контактують один з одним через шар нормального металу.
Автори роботи
Воронько А.О.
Глуховська Ю.Ю.
Гуренко В.О.
Денисенко (Потапова) В.П.
Дячук Ю.І.
Ларкін С.Ю.
Новіков Є.І.
Юріліна Н.А.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
