Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000279, 0111U009717 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України Назва етапу роботи Керівник роботи Лавриненко Сергій Дмитрович, Фінкель Володимир Олександрович, Кутній Володимир Євдокимович, Дата реєстрації 30-01-2012 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України, Інститут теоретичної фізики ім. О. І. Ахієзера Опис етапу У другому півріччі 2011 р. відповідно до тематичного плану із Відомчого завдання НАН України на проведення наукових досліджень з атомної науки й техніки ННЦ ХФТІ (тема III-1-11 (ІФТТМТ) "Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України" проведено дослідження за Етапом 2. "Дослідження властивостей утворення радіаційних дефектів у широкозонних напівпровідниках під дією корпускулярного та гамма-випромінювання і вивчення впливу дефектів на збір нерівноважного заряду у детекторах гамма-випромінювання". Одержані наступні основні наукові результати: 1. Незалежно від типу опромінення (гамма-, електрони) найбільший вплив у темновий струм Id детекторів на основі CdTe і CdZnTe дає початкова поглинена доза 1 МРад. При цьому можливе зниження величини темнового струму в 2 і більше разів. Подальше збільшення поглиненої дози випромінювання не впливає суттєво на величину темнового струму. 2. Зарядовий стан радіаційних дефектів, що утворюються в CdTe і CdZnTe детекторах може суттєво відрізнятися при опроміненні одним типом частинок. В CdZnTe детекторах при опроміненні електронами спостерігається часткова компенсація пасток, які можуть захоплювати нерівноважні дірки. В CdTe детекторах це явище компенсації не зареєстровано. Таким чином, опромінення електронами можливо включити в технологічний процес виготовлення CdZnTe детекторів для покращення їх робочих характеристик. Стор. - 31, Рис. - 17, Табл. - 1, Літ. джерел. - 54. Опис продукції Науково-технічний звіт "Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України". Стор. - 20, Рис. - 14, Табл. - 1, Літ. джерел. - 31. У звіті приведено результати наукових досліджень виконаних у ННЦ ХФТІ по Відомчому завданню НАН України на проведення наукових досліджень з атомної науки й техніки по етапу 2. "Дослідження властивостей утворення радіаційних дефектів у широкозонних напівпровідниках під дією корпускулярного та гамма-випромінювання і вивчення впливу дефектів на збір нерівноважного заряду у детекторах гамма-випромінювання". Одержані наступні основні наукові результати: Незалежно від типу опромінення (гамма-, електрони) найбільший вплив у темновий струм детекторів на основі CdTe і CdZnTe дає початкова поглинена доза 1 МРад. При цьому можливе зниження величини темнового струму в 2 Автори роботи Аржавітін В.М. Дерев'янко В.В. Наконечний Д.В. Піроженко Л.О. Рибка Олександр Вікторович Сухарева Т.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити