Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U008456, 0111U000774 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Тимофєєв Володимир Іванович, Дата реєстрації 14-12-2012 Організація виконавець Науково-дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету України "КПІ" Опис етапу Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання електричних властивостей тринітридних сполук з різними модифікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для телекомунікаційних систем і систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій. Опис продукції Дістало подальшого розвитку моделювання РТД: в рамках аналітичної моделі враховано відмінності ефективних мас в різних шарах, а для знаходження енергетичних рівнів у квантовій ямі та рівня Фермі в резервуарах використовуються більш адекватні методи. Чисельна однодолинна модель покращена завдяки тому, що самоузгодження проводилося в тому числі в спейсерних шарах, границя зшивки обиралася на границі між спейсерами та високолегованими областями, а електронний газ в резервуарах вважався виродженим. Розроблена методика і алгоритм врахування впливу квантових точок на подовжній транспорт носіїв заряду в гетеротранзисторі. Залежно від розмірів КТ і положення основних енергетичних рівнів їх можна враховувати як вбудовані сходинки потенціалу, а також враховувати процеси іонізації КТ. Удосконалено методику визначення теплового опору транзистора для субмікронного гетеротранзистора, відповідно до якої тепловий потік розтікається з центральної лінії джерела тепла, а величину теплового опору гетероструктурного транзис Автори роботи Белявський Є.Д. Боль К.К. Москалюк В.О. Семеновська О.В. Фалєєва О.М. Федяй А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити