Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000509, 0112U004575 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження ефектів гарячих електронів у напівпровідникових гетероструктурах з квантовими ямами, які зумовлюють виникнення від'ємної диференціальної провідності у надвисокочастотному діапазоні. Назва етапу роботи Керівник роботи Порошин Володимир Миколайович, Дата реєстрації 13-02-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Теоретично та експериментально досліджені транспорт електронів у гетероструктурах з квантовими ямами у прикладеному поздовжньому (лежачому у площині ям) електричному полі та внутрізонне далеке інфрачервоне випромінювання носіями в умовах просторового обміну носіями між ямами та глибокими домішковими центрами у бар'єрі, який спричиняється їх розігрівом полем. Приводяться залежності струму від величини поля (ВАХ) для різних концентрацій домішки. Показано, що при великих концентраціях, коли утворюється домішкова самоузгоджена квантова яма у бар'єрі, перехід до неї носіїв струму з основної ями може приводити (у випадку наявності компенсації домішок) до від'ємної диференціальної провідності. Наведені результати розрахунку електронної температури від величини поля, які отримані із рішення рівнянь балансу для електричної потужності, що вводиться у електронну підсистему, та потужності, що втрачається при взаємодії із фононною підсистемою. Також приведені результати розрахунку інтегральної інтенсивності випромінювання гарячими електронами у моделі абсолютно чорного тіла, які порівнюються з отриманими із вимірювань для GaAs/AlGaAs гетероструктур з селективно легованими бар'єрами. Опис продукції Теоретично розглянутий перерозподіл носіїв струму між квантовими ямами та глибокими домішками у бар'єрі, який індукований прикладеним поздовжнім електричним полем, у випадках малої і великої концентрації домішок та його вплив на електричний транспорт (польова залежність струму - ВАХ). Показано, що у випадку великих концентрацій домішки, коли утворюється домішкова квантова яма, перерозподіл носіїв може призводити до від'ємної диференційної провідності при наявності компенсації домішки. Приведений розрахунок польової залежності величини розігріву носіїв полем та інтегральної інтенсивності випромінювання носіїв при непрямих оптичних переходах для GaAs/AlGaAs гетероструктур з селективно легованими бар'єрами. Автори роботи Більовський Павло Антонович Вайнберг Віктор Володимирович Васецький Віктор Михайлович Винославський Михайло Миколайович Коротєєв Вадим В'ячеславович Кочелап В'ячеслав Олександрович Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити