Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U001257, 0112U003689 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нанорозмірна характеризація халькогенідних та халькогенгалогенідних стекол з вмістом металів та рідкісноземельних елементів для прогресивних технологічних застосувань Назва етапу роботи Керівник роботи Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-01-2013 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Проведено нанорозмірну характеризацію халькогенгалогенідних стекол з вмістом РЗ елементів систем 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (Tm2S3, Tm2S3-Nd2S3, Ho-Tm2S3, Ho) та 70GeS2-10In2S3-20CsBr (Tm2S3). Результати дослідження стекол на основі системи 70GeS2-10In2S3-20CsBr (мол%) з концентрацією Tm2S3 в області 0.05-0.5 мол% із використанням методу часового розподілу анігіляційних фотонів показали, що час життя дефектної компоненти ?2 і відповідна інтенсивність I2 мають екстремальні значення (мінімальне значення ?2 та максимальне значення I2) для складу з 0.38 мол% Tm2S3 у якому в літературі спостережено підвищення смуги люмінесценції при положенні 1480 нм. На основі співвідношення між часом життя дефектної компоненти ?2 та радіуса порожнини R для R < 5 A розраховано середній розмір порожнинних дефектів, який для складу з 0.38 мол% Tm2S3 складає порядку R = 2.5 A чи V = 65 A3 у сферичному наближенні. З отриманих результатів методом доплерівського розширення анігіляційної лінії на основі залежності доплерівських параметрів S від W для стекол системи 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (GGS-CsCl) у порівнянні з стеклами системи 70GeS2-10In2S3-20CsBr (GIS-CsBr) встановлено, що стекла системи GIS-CsBr характеризуються менш дефектною структурою ніж стекла системи GGS-CsCl. Даний висновок є важливим у практичному аспекті при використанні досліджуваних халькогенгалогенідних стекол у халькогенідній фотоніці. Опис продукції Параметри нанорозмірної характеризації халькогенгалогенідних стекол з вмістом рідкісноземельних елементів систем 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (Tm2S3, Tm2S3-Nd2S3, Ho-Tm2S3, Ho) та 70GeS2-10In2S3-20CsBr (Tm2S3), що отримані з використанням методів високоенергетичної синхротронної рентгенівської дифракції та позитронної анігіляційної спектроскопії. Автори роботи Дубик Оксана Михайлівна Кавецький Орест Степанович Кавецький Тарас Степанович Цмоць Володимир Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Нанорозмірна характеризація халькогенідних та халькогенгалогенідних стекол з вмістом металів та рідкісноземельних елементів для прогресивних технологічних застосувань
Керівник: Кавецький Тарас Степанович. Нанорозмірна характеризація халькогенідних та халькогенгалогенідних стекол з вмістом металів та рідкісноземельних елементів для прогресивних технологічних застосувань. (Етап: ). Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка. № 0213U001257
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27


Роздрукувати цю сторінку