Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U001779, 0110U001427 , Науково-дослідна робота Назва роботи Енергетичні і спектральні характеристики детекторів на основі напівпровідникових сполук А2В6 та А3В5 при дії електромагнітного випромінювання оптичного і КВЧ діапазонів Назва етапу роботи Керівник роботи Белецький Микола Іванович, Дата реєстрації 12-02-2013 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові сполуки типу А2В6, фізичні явища в них при дії ультрафіолетового випромінювання і прилади на основі цих сполук для детектування випромінювання. Мета роботи - виявлення перспективних напівпровідникових сполук типу ZnSe, CdZnTe і ін для детектування випромінювання від ІК до ультрафіолетового діапазону, розробка та створення фотодетекторів на їх основі, вивчення енергетичних і спектральних характеристик. Метод дослідження - теоретичні та експериментальні дослідження характеристик сполук А2В6 (ZnSe, CdTe, CdZnTe) і їх поведінки при дії ІК, оптичного і УФ-випромінювання. Експериментальні дослідження енергетичних і спектральних характеристик фотоперетворювачів (діодів Шоттки) на основі сполук А2В6 (ZnSe, CdTe) з різними металевими контактами. Основні результати та їх новизна. Для створення УФ детекторів на діапазон 0.24-0.4 нм перспективні сполуки напівпровідників А2В6 (ZnSe, CdZnTe), які найбільшою мірою забезпечують детектування випромінювання УФ діапазону. Для детектування сигналу і визначення рівня випромінювання в діапазоні хвиль 0.9-1.2 мкм теоретично розглянуто можливість використання селективно-легованих, багатошарових напівпровідникових гетероструктур n-AlGaAs-Ge, InAlAs-GaAs. Дослідження з використання додаткових бар'єрів у гетероструктурах типу p-ZnSe n-CdSe виявили можливість трансформації частотного спектру випромінювання в інший шляхом вибору електрофізичних параметрів матеріалу (ширини забороненої зони, рухливості) напівпровідника через який виводиться сигнал детектора. Розглянуто механізми збору носіїв заряду, перетворення і детектування сигналу в структурах з потенційним бар'єром на межі метал-напівпровідник А2В6 в залежності від контактного металу (Pt, Pd, Ni, Au). Діоди з Pt, Ni контактами демонструють переваги перед діодами з Pd. Теоретичні розрахунки коефіцієнта збору згенерованих носіїв заряду показують, що для ефективного збору носіїв необхідно використовувати матеріали з оптимальними коефіцієнтами поглинання і дифузії, великим часом життя носіїв заряду. Відпрацьована технологія отримання діодів Шотткі з контактами з Pt, Pd, Au, Ni. Отримані експериментальні зразки фотодетекторів на ZnSe, виміряні їх вольтамперні характеристики без опромінення і при опромінюванні ультрафіолетом; Підтверджено високу спектральна чутливість контактів з Pt в порівнянні з контактами Ni. Апробація результатів роботи: за матеріалами фундаментальних досліджень НДР опубліковано 11 статей у наукових журналах і зроблено 24 доповіді на міжнародних конференціях. Одержано 1 патент України, подано 4 заявки на патенти. Рекомендації щодо використання результатів роботи. Отримані результати та рекомендації можуть бути використані при розробці нових фотоперетворювачів різного частотного діапазону, включаючи ультрафіолетовий; технологія травлення і підготовки напівпровідникових пластин для напилення металевих контактів є оригінальною і дозволяє створювати фотодіоди на різні спектральні діапазони. КЛЮЧОВІ СЛОВА: джерела короткохвильового ультрафіолетового випромінювання; напівпровідникові прилади детектування; фотопомноження; металевий контакт; діод шотки; гетероструктури і напівпровідники А2В6 Опис продукції Автори роботи Антоненко Є Бабич Є. Воронкін Є Головко Л Гомон Є Забєлін С Каднікова О Клименко В Медведєв Н Мустецов М. Мустецов Т. Набока А Павленко Д Плотнікова О. Полянський М. Пушин В Рибка О. Холодов В Шеховцов М Шеховцов М Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити