Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002021, 0110U006027 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 03-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Показано, що застосування найпростішої плазмонної структури - металевої решітки - є ефективним способом забезпечити взаємодії сторонньої електромагнітної хвилі з дисперсійними плазмонними коливаннями низьковимірних електронів. Такі властивості розглянутої плазмонної структури можуть бути використані для реєстрації, збудження та підсилення терагерцових сигналів. Крім того, ефект підсилення локального поля в ближній зоні робить можливим спостереження різноманітних нелінійних ефектів в порівняно слабких зовнішніх електромагнітних полях. З використанням конфокальної мікро-КРС спектроскопії встановлено розподіл концентрації вільних носіїв заряду по глибині та в вздовж площини сколу n++/n0/n++-GaN діодної структури, що необхідно враховувати при розробці технології виготовлення приладних Ганн-діодних структур з вертикальним дизайном. Для створення пористих шарів напівпровідників А3В5 була розроблена технологія електрохімічного травлення монокристалів n-типу (GaAs, InP та GaP) в водних та спиртових розчинах кислот. Мікроскопічні дослідження показали, що пористі шари на основі InP мають найбільш досконалу структуру і їх можна розглядати як квазіперіодичні впорядковані структури. Також було досліджено оптичні властивості композитів SnO2/SiO2 на основі пористого кремнію. Опис продукції Показано, що застосування найпростішої плазмонної структури - металевої решітки - є ефективним способом забезпечити взаємодії сторонньої електромагнітної хвилі з дисперсійними плазмонними коливаннями низьковимірних електронів. Такі властивості розглянутої плазмонної структури можуть бути використані для реєстрації, збудження та підсилення терагерцових сигналів. Крім того, ефект підсилення локального поля в ближній зоні робить можливим спостереження різноманітних нелінійних ефектів в порівняно слабких зовнішніх електромагнітних полях. З використанням конфокальної мікро-КРС спектроскопії встановлено розподіл концентрації вільних носіїв заряду по глибині та в вздовж площини сколу n++/n0/n++-GaN діодної структури, що необхідно враховувати при розробці технології виготовлення приладних Ганн-діодних структур з вертикальним дизайном. Для створення пористих шарів напівпровідників А3В5 була розроблена технологія електрохімічного травлення монокристалів n-типу (GaAs, InP та GaP) в водних та спиртових розчинах кисл Автори роботи Дмитрук М.Л. Кочелап В.А. Стрельчук В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити