Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002157, 0112U003489 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електронна структура кремнієвих квантових точок в германії Назва етапу роботи Керівник роботи Юхимчук Володимир Олександрович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 16-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В даній роботі досліджувалися процеси формування кремнієвих квантових точок (КТ), вбудованих в германієву матрицю. При переході до гетероструктур Ge/Si з кремнієвими КТ локалізація електронів повинна відбуватися в КТ, а дірки будуть знаходитися в об'ємному Ge, і їх локалізація можлива на гетеромежі Ge/Si. Щоб досягти мети даного проекту дослідження проводили в двох напрямках. Перший передбачав вирощування германієвих наноострівців з кремнієвим ядром і германієвою оболонкою згідно класично механізму Странського-Крастанова. Інший напрямок - це вирощування методом молекулярно-променевої епітаксії кремнієвих КТ в германієвій матриці згідно механізму Волмера-Вебера. По першому напрямку встановлено елементний розподіл в куполоподібних острівцях, сформованих при варіюванні температури росту та номінальної товщини осадженого Ge. По другому напрямку встановлено, що головними особливостями формування Si квантових точок в германії є сильне перемішування Si та Ge і введення дислокацій в острівці на більш ранніх стадіях росту, ніж у випадку інвертованої системи Ge/Si, що накладає суттєві обмеження на режими росту. Опис продукції Проведення комплексного дослідження Si квантових точок, сформованих в Ge матриці, методами раманівської та локальної Оже спектроскопії дозволили встановити фізичні механізми, що визначають 2D-3D трансформацію та подальший ріст наноострівців. Автори роботи Валах Михайло Якович Джаган Володимир Миколайович Пономарьов Семен Семенович Янчук Ігор Богданович Яремко Анатолій Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити