Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U003714, 0108U000252 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження оптичних властивостей шаруватих напівпровідникових кристалів і структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Дата реєстрації 27-02-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe інтеркальовані воднем або леговані домішковими атомами Cd, Zn, Ge, Sn і опромінені -квантами; шаруваті структури на основі цих кристалів. Мета роботи: Дослідження оптичних властивостей шаруватих напівпровідникових кристалів A3В6 і структур з метою розробки на їх основі елементної бази для напівпровідникових сенсорів іонізуючого випромінювання та твердотільних накопичувачів водню; дослідження фізичних основ управління оптичними та електронними властивостями шаруватих кристалів А3В6 при їх легуванні, інтеркалюванні (деінтеркалюванні) та опроміненні -квантами; вивчення фізико-хімічних процесів, що протікають в згаданих кристалах при легуванні домішковими атомами, інтеркалюванні воднем та опромінюванні -квантами. Методи дослідження: низькотемпературні спектральні оптичні, радіоспектроскопічні (ЕПР, ЯМР), енергодисперсійні (EDS, HKL), оптико- та електронно-мікроскопічні дослідження. В роботі розглядаються результати оптико- і електронно-мікроскопічних досліджень, енергодисперсійних, радіоспектроскопічних та низькотемпературних оптико-спектроскопічних досліджень шаруватих напівпровідникових кристалів групи А3В6 інтеркальованих воднем, а також спеціально нелегованих та легованих домішками атомів Cd, Zn, Ge, Sn, які опромінювались -квантами енергій від 0 до 34 МеВ в дозах до 1014 -квантів/cм2. З застосуванням зазначених методів вперше експериментально показано, зокрема, що кристали GaSe, на відміну від кристалів InSe, мають значну кількість залишкового Se в міжшаровому просторі, який при Т > 350 0C виходить з кристала під час його відпалу у вакуумі. Легування кристалів домішками другої групи Періодичної таблиці, або їх опромінювання -квантами приводить до заліковування точкових дефектів відповідно по Шотки і по Френкелю. Інтеркалювання кристалів InSe і GaSe воднем приводить до локалізації руху екситонів в площині кристалічних шарів, що обумовлено різкою зміною діелектричної сталої кристала в міжшаровому просторі внаслідок появи молекулярного водню в міжшаровому просторі кристала. Запропонована модель входження водню в шаруваті кристали та зроблені висновки щодо застосування шаруватих кристалів для накопичення водню. Результати роботи матимуть важливе значення для створення твердотільних накопичувачів водню та напівпровідникової елементної бази і приладів на їх основі, зокрема, сенсорів -випромінювання. Опис продукції В роботі розглядаються результати комплексних SEM, EDS, HKL, ЯМР, ЕПР, та оптико-спектроскопічних досліджень кристалів InSe і GaSe інтеркальованих воднем, а також нелегованих та легованих атомами Cd, Zn, Ge, Sn, які опромінювались -квантами енергій від 0 до 34 МеВ в дозах до 1014 -квантів/cм2. (247). Надані рекомендації щодо застосування результатів досліджень при створенні сенсорів -випромінювання та твердотільних накопичувачів водню на базі шаруватих кристалів. Автори роботи Грехов Василь Михайлович Жирко Юрій Іванович Мельничук Оксана Петрівна Скубенко Микола Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити