Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U007421, 0112U000031 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-технологічні засади отримання поруватих сполук А3В5 та приладових структур наїх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Кідалов Валерій Віталійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-10-2013 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис етапу Отримано шари фосфіду індію n-типу з розміром пор (10 - 40) нм (для n-InP (100)) та (70 - 150) нм (для n-InP (111)). Вперше представлено методику одержання поруватого р-InP методом фотоелектрохімічного травлення. Отримано зразки por-InPр-типу з розміром пор (30 - 40) нм. Уперше отримано плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення Опис продукції У даній розроботці нами представлений альтернативний напрям перетворення хімічної енергїі в електричний струм, заснований на вживанні напівпровідникових p-n переходів. При протіканні хімічної реакції на лицьовій поверхні напівпровідникової структури в ній генеруються електроно-діркові пари за рахунок звільнення енергиії хімічної реакції. Електронно-діркові пари дифундують до області p-n переходу, і компоненти пари розділяються його електричним полем, утворюється електричний струм і хемо-ЕДС Автори роботи Кирилаш Олександр Іванович Сичікова Яна Олександрівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити