Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006788, 0110U005722 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів і комп'ютеризованного обладнання для електрофізичного діагностування елементів нанокристалічної пам'яті Назва етапу роботи Керівник роботи Назаров Олексій Миколайович, Дата реєстрації 24-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу РЕФЕРАТ Об'єкт дослідження - гетеросистеми, SiO2(Si)/Si, Si/SiO2/Si, нанокластери, нанокристали, метрологія. Мета роботи - Метою проекту є розробка методів електричного діагностування елементів енергонезалежної нанопам'яті, у яких в діелектрику створений плаваючий затвор, який має вигляд двовимірного шару з нановключень, та створення спеціалізованої діагностичної установки. Створення програмних алгоритмів та програмного забезпечення на їх основі для комп'ютерного керування процесом електрофізичних досліджень на установці. Випробування роботи апаратно-програмного комплексу на тестових зразках МОН енергонезалежної пам'яті з нановключеннями та спеціалізованих транзисторних структурах. На четвертому етапі виконання проекту були розроблені експериментальні методики діагностування часових процесів збереження інформації у комірках нанокластерної пам'яті після програмування за наявності постійного електричного зміщення та температурного нагріву структури в якості параметрів проведення експерименту. Створення програмних алгоритмів роботи та написання на їх основі програмного забезпечення виконувалось в середовищі візуального програмування National Instruments LabView 8.5. Зокрема додано можливість програмного керування часом нагріву та термостабілізації зразка під час тривалих процесів вимірювання які можуть тривати протягом годин. В ході роботи було досліджено процеси збереження заряду в структурах нанокристалічної пам'яті з одним шаром нанокластерів в діелектрику. Отримані часові залежності стікання заряду з нанокластерів із різними напругами утримування та температурами зразка у якості параметрів і виявлено повільну і швидку стадії процесу стікання заряду. Додано програмну можливість встановлення змінного інтервалу між вимірюваннями для отримання більш точних результатів для обох ділянок залежності. Визначено, що у нанорозмірних елементів пам'яті спостерігається сильний вплив вимірювання повної вольт-фарадної характеристики на зарядовий стан діелектрика, в зв'язку з чим був запропонований метод визначення напруги плоских зон за принципом послідовних наближень. Встановлено фізичний механізм стікання накопиченого в діелектрику заряду, який пов'язаний з активаційним процесом, і вирахувано енергію активації процесу емісії заряду з нанокластерів в напівпровідник під час розрядження структури. КРЕМНІЙ, ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, НАНОКЛАСТЕРИ, НАНОКРИСТАЛИ, ДІАГНОСТИКА, NVM. Опис продукції Розробка методів електричного діагностування елементів енергонезалежної нанопам'яті, де в якості плаваючого затвора використовуються кремнієві нановключення і наноструктури, та створення спеціалізованого діагностичного обладнання з оригінальним програмним забезпеченням для електрофізичних досліджень. Розробка алгоритмів таких досліджень, а також випробування Автори роботи Євтух В.А. Гоменюк Ю.В. Римаренко Н.Л. Турчаніков В.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити