Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U001830, 0113U001372 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика формування квантових точок в системі InGaAs/GaAs методом низькотемпературної газотранспортної епітаксії Назва етапу роботи Керівник роботи Губа Сергій Костянтинович, Кандидат технічних наук Дата реєстрації 02-06-2015 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Запропоновано теоретичну модель для розрахунку енергетичних характеристик поверхонь квантових точок InAs в матриці GaAs(100). Модель заснована на положеннях нерівноважної термодинаміки і фізики поверхонь. У роботі представлені результати розрахунків поверхневих енергетичних і адгезій них фізичних величин, а також тиски в околі ребер квантових точок InAs в матриці GaAs(100). За допомогою співвідношення Юнга встановленні причини згину профілю нижньої частини квантової точки. Отриманні результати можуть бути використані для оцінки механізмів релаксації напружень при самоорганізації КТ InAs в матриці GaAs(100). У даній роботі визначені основні кінетичні параметри для формування масиву квантових точок InAs в матриці GaAs при умовах хлорид-гідридної епітаксії. Опис продукції Запопоновано рекомендації щодо оптимізації технології отримання формування масиву квантових точок InAs в матриці GaAs при умовах хлорид-гідридної епітаксії. Отриманні результати можуть бути використані для оцінки механізмів релаксації напружень при самоорганізації КТ InAs в матриці GaAs(100). Автори роботи Губа С.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити