Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0216U002891, 0116U002856 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології виготовлення сенсорних чіпів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико - механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу (ППР) Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-12-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено техпроцес виготовлення наноструктурованих сенсорних чіпів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико - механічними характеристиками із періодом від 0,28 до 0,9 мкм та глибиною рельєфу від 10 до 50 нм. Виготовлено експериментальну партію наноструктурованих чіпів та досліджено їх морфологічні, оптичні та сенсорні властивості. Встановлено, що кратність підвищення чутливості рефрактометра та величина інтервалу зміни показника заломлення середовища, в якому спостерігається це підвищення, залежить від глибини рельєфу граткової структури на поверхні чіпа. Опис продукції Вперше розроблено техпроцес виготовлення наноструктурованих сенсорних чіпів на основі шарів золота з просторовою частотою до 3400 лін/мм. Наноструктуровані чіпи можуть бути використані в оптичних сенсорах на основі поверхневого плазмонного резонансу різноманітного призначення, зокрема, для медико-біологічних досліджень, контролю довкілля, продуктів харчування, напоїв, технологічних рідин, газового середовища, тощо. Автори роботи Данько Віктор Андрійович Жовмір Сергій Сергійович Корчовий Андрій Адамович Литвин Петро Мр'янович Луканюк Марія Василівнв Ляпін Олег Миколайович Минько Віктор Іванович Михайловська Катерина Василівна Прокопенко Ігор Васильович Сопінський Микола Вікторович Ушенін Юрій Валентинович Христосенко Роман Васильович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка технології виготовлення сенсорних чіпів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико - механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U002891
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-13