Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U003919, 0111U002515 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження, розробка та діагностика напівпровідникових пристроїв мікрохвильової та ІЧ нанофотоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-02-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові об'ємні та плівкові структури. Мета роботи - Встановити та дослідити фізичні явища та ефекти в напівпровідникових мікро- та наноструктурах, які можуть бути використані для створення новітньої елементної бази для інфрачервоної та терагерцової фотоелектроніки та спектроскопії. Метод дослідження - експериментально і теоретично дослідження фотоелектронних і електрофізичних явищ в напівпровідникові об'ємних та плівкових структурах. Виготовлені лінійки напівпровідникових приймачів випромінювання для ТГц/суб-ТГц діапазону спектра на основі епітаксійних шарів вузькощілинного напівпровідника CdxHg1-xTe з інтергованими металевими антенами. Обґрунтована можливість використання для ТГц/суб-ТГц систем бачення класичного методу створення оптики ,- на прецизійних токарних верстатах із подальшою обробкою поверхні і з використанням 3D друку. Для побудови зображень в ТГц/суб-ТГц діапазоні, був зібран стенд, та проведено його удосконалення. Отримані зображення для випромінювання 140 ГГц. Встановлено взаємозв'язок між технологічними режимами вирощування подвійних гетеропереходів p+-InP/n- InGaAsP/ n- InP методом рідинно-фазної епітаксії та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку в якості легуючої акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p-n переходу в шарі n-InGaAsP, що зумовлює зміщення максимуму спектра електролюмінесценції у довгохвильову область і зменшення потужності ІЧ випромінювання. Виконаний розрахунок часу життя ННЗ у р-InAs при температурах й 300 До для діапазону концентрацій рівноважних дірок р0 = 1 1015 - 1 101 см-3 з урахуванням конкуренції міжзонної випромінювальної й оже- рекомбінацій. Установлено, що температурна залежність часу життя ННЗ у р-InAs з р0 = 1016 см-3 може бути пояснена участю трьох основних каналів рекомбінації - випромінювального, CHSH та CHLH. Відпрацьовано режими фотоелектрохімічного методу формування двовимірних структур макропористого кремнію, очистки поверхні структур та термічного окислення. Теоретично досліджені термодинамічні властивості впорядкованого поруватого середовища - фотонного пневматика та впливу процесу оксидизації на спектр фотонного кристалу. Встановлено, що ефективний час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається бар'єрним механізмом, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. Опис продукції Виготовлені лінійки напівпровідникових приймачів випромінювання для ТГц/суб-ТГц діапазону спектра на основі епітаксійних шарів вузькощілинного напівпровідника CdxHg1-xTe з інтегрованими металевими антенами. Обґрунтована можливість використання для ТГц/суб-ТГц систем бачення класичного методу створення оптики на прецизійних токарних верстатах із подальшою обробкою поверхні і з використанням 3D друку. Для побудови зображень в ТГц/суб-ТГц діапазоні, був зібраний стенд, та проведено його удосконалення. Отримано зображення для випромінювання 140 ГГц. Автори роботи Є.О Білєвич Іванов В.І. Андрєєва К.В. Апатська М.В. Барсукова Н.О. Бойко В.А. Бреславець П.Г. Бунчук С.Г. В.В. Тетьоркін В.П. Рева Глушко Є.Я. Голенков О.Г. Гуменюк-Сичевська Ж.В. Дмитрук Н.В. Духнін С.Є. Забудський В.В. Калістий Г.В. Карась М.І. Конін К.П. Корінець С.В. Кролевець М.М. Кухтарук Н.І. Л.А. Карачевцева Лисюк І.О. Литвиненко О.О. Лученко А.І. М.В. Вуйчик Морозовська Д.В. Оніщенко В.Ф. Паршин К.А. Пляцко С.В. Рашковецький Л.В. Савкіна Р.К. Садовнікова М.Л. Сапельнікова О.Ю. Сахно М.В. Свеженцова К.В. Смірнов О. Б. Смолій М.І. Старий С.В. Стронська О.Й. Удовицька Р.С. Цибрій З.Ф. Шевчик-Шекера А.В. Шевчук Н.Ю. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити