Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U005713, 0111U006258 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи процесів формування напівпровідникових наноструктур для пристроїв електроніки і фотоніки Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 09-02-2016 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Визначено механізми захоплення носіїв заряду дефектами структури у напівпровідникових матеріалах групи А3В5. Досліджено можливості використання структур з квантовими точками InAs в підзатворних областях та структур з нанокластерами Si в діелектричній матриці SiO2 для створення запам'ятовуючих пристроїв. Визначено оптимальні параметри аморфізованого шару, які дозволяють збільшити ефективність кремнієвих фотоперетворювачів внаслідок додаткового поглинання квантів з енергією менше 1.12 еВ. Запропоновано використовувати порошки на основі наноструктурованого поруватого кремнію для накопичення водню. Показано, що для структур Ті-ТіО2-рSі адсорбція полярних молекул змінює не тільки значення струму, але й характер залежності струму від прикладеної напруги. Розроблено технологію формування шаруватих структур з нанокристалами кремнію для використання в елементах енергонезалежної нанокристалічної пам'яті. За допомогою оптимізації технологічних параметрів осадження GaAs і температури підкладки Si можна створювати системи квантових точок для приладів оптоелектроніки. Опис продукції Розроблено вимірювальний комплекс для дослідження глибокорівневих дефектів. Показано, що у структурах фосфіду галію присутні пастки двох типів із Еа=0.13 еВ і 0.79 еВ і що відпал неопромінених структур у вакуумі при Т=200°С уводить три пастки із Еа=0.32 еВ, 0.89 еВ і 1.04 еВ. Відпал на повітрі вводить додатково ще два глибокі рівні з Еа=0.44 еВ і 0.63 еВ. Встановлено, що уведені опроміненням пастки з Еа=0.25 еВ, 0.50 еВ і 0.60 еВ пов'язані з вакансією галію. В наближеннях діодної теорії визначено оптимальні параметри модифікованого шару в ОПЗ асиметричного кремнієвого n+-p переходу. Показано можливість збільшити фотострум за рахунок поглинання квантів з енергією більше 1.12 еВ та зменшити темнові струми внаслідок впливу додаткових потенціальних бар'єрів цього шару. Максимальне збільшення густини струму короткого замикання може складати 1-2%, а напруги холостого ходу - 10-12%. Розроблено технологію формування шаруватих структур з нанокристалами кремнію для використання в елементах енергонезалежної пам'яті Автори роботи Іванов Іван Іванович Ільченко Володимир Васильович Вербицький Володимир Григорович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігорович Марін Володимир Володимирович Опилат Віталій Яковлевич Скришевський Валерій Антонович Циганова Ганна Іскаківна Шкавро Анатолій Григорович Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити