Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U000224, 0114U000677 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення технологій вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- і мікроелектронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 24-01-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено аналіз впливу потужності розряду та швидкості протоків газів-реагентів на характер міжатомних зв'язків та фотолюмінісцентні властивості. Показано, що як і у випадку використання мішені кремнію (див. звіт за 2015 р.) із зростанням вмісту вуглецю в плівках a-SiOC:H з'являється інтенсивна широкосмугова ФЛ. Показано що характерний час релаксації ФЛ складає одиниці і долі наносекунд. Встановлено, що час релаксації має спектральну дисперсію і зменшується із зменшенням довжини хвилі випромінювання. На основі аналізу спектрів ІЧ-поглинання та ІЧ-відбивання зроблено припущення, що структура приповерхневого шару в плівках a-SiOC:H має більш полімероподібний характер у порівнянні із структурою об'єму. Опис продукції Створення технологій вирощування наноструктурованих матеріалів на основі кремнію та вуглецю для оптоелектричних і мікроелектронних приладів. Автори роботи Васін Андрій Володимирович Назаров Олексій Миколайович Русавський Андрій Вадимович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити