Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U001272, 0116U000827 , Науково-дослідна робота Назва роботи Еволюція властивостей матеріалів поліфункціонального призначення під впливом екстремальних зовнішніх чинників Назва етапу роботи Керівник роботи Вовк Руслан Володимирович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-02-2017 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкти експериментальних досліджень:шаруваті структури - ВТСП НоВа2Сu3О7-? та Zr2(Al1-xBix)C; напівпровідники Cd0.22Hg0.78Te. Мета роботи - вивчення особливостей транспорту заряду та тепла. Метод дослідження - експериментальне визначення електро- та теплопровідності в залежності від зовнішніх чинників; аналіз отриманих залежностей. В НоВа2Сu3О7-? всебічне стискання ініціює виникнення нових фаз з різними Тс. У фазі з більш низькою Тс поперечна довжина когерентності, с(0), та інтервал існування флуктуаційної провідності виявляються меншими, ніж для вихідної фази. Релаксація параметрів, що характеризують розсіювання носіїв заряду на фононах та дефектах, пов'язана з перерозподілом кисню між фазами. В області 77-170 К тепло- і електропровідність Cd0.22Hg0.78Te обмежені розсіюванням на фононах носіїв заряду для випадку електропровідності або носіїв тепла - фононів для випадку теплопровідності. Розраховані параметри решітки та електронні структури твердих розчинів Bi у МАХ-фазах Zr2(Al1-xBix)C. Bi збільшує сталу решітки а, і зменшують сталу решітки с. Zr2(Al1-xBix)C демонструє металево-подібну поведінку з найнижчим опором при х від 0.25<х<0.75. Результати досліджень можуть бути використаними при створенні матеріалів із заздалегідь заданими характеристиками. Опис продукції Обнаружено, что в НоВа2Сu3О7-? всестороннее сжатие инициирует возникновение новых фаз с различными Тс, длинами когерентности и интервалами существования флуктуационной проводимости. Особенности рассеяния носителей заряда связаны с перераспределением кислорода между фазами. Тепло- и электропроводность Cd0.22Hg0.78Te ограничены рассеянием на фононах носителей заряда для случая электропроводности или носителей тепла - фононов - для случая теплопроводности. Автори роботи В. Білецький В. Скляр Г. Хаджай Д. Рохмистров Е. Геворкян Л. Холодилова М. Ревякіна О. Самойлов О. Соколов Р. Вовк Ю. Бойко Ю. Литвинов Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити