Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0217U003083, 0112U005082 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Дефектоутворення та кінетичні ефекти в опромінених і термічно оброблених напівпровідниках та наноструктурах на їх основі

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Гайдар Галина Петрівна,

Дата реєстрації

17-01-2017

Організація виконавець

Інститут ядерних досліджень НАН України

Опис етапу

Досліджено вплив гамма-опромінення на концентрацію і рухливість основних носіїв заряду в германії і кремнії. Показано, що в кисневмісних зразках n-Ge та n-Si, а також у компенсованих кристалах n-Si, спостерігається аномальне зростання рухливості від дози опромінення в області змішаного розсіяння. Запропоновано модель, яка базується на врахуванні часткової нейтралізації заряду розсіюючих центрів зарядом радіаційних дефектів, що генеруються опроміненням переважно в околиці розсіюючих центрів. Прийнята модель якісно пояснює експериментально одержані результати. Досліджено зміни температурних залежностей рухливості носіїв заряду в монокристалах n-Si, вирощених методом Чохральського, які відпалювалися і охолоджувалися за різних умов. Кристали відпалювалися при 1200 і 500 ^оС протягом 2 годин. Відпал супроводжувався швидким або повільним охолодженням. Показано, що рухливість носіїв заряду у випадку домішкового розсіювання визначається не тільки умовами термовідпалу, але й швидкістю охолодження. Встановлено, що введення домішки германію в кремній n-типу, вирощений методом Чохральського, підвищує його радіаційну стійкість приблизно на порядок. Припускається, що германій у кремнії є рекомбінаційним центром для пар Френкеля, що пригнічує введення глибоких дефектів вакансійного типу. При введенні ізовалентної домішки германію в кристали кремнію і тривалих термовідпалах (до 300 год) при 450 ^оС у зразках кремнію р-типу, легованих домішкою бора, відбувається р-n конверсія. Встановлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у дослідах із конвертованими зразками внаслідок легування кристалів кремнію домішкою германію.

Опис продукції

Проведено експериментальні дослідження особливостей впливу гамма-опромінення на концентрацію і рухливість основних носіїв заряду в кристалах германію і кремнію n-типу провідності, вирощених методом Чохральського. Виявлено в області малих доз опромінення аномальне зростання рухливості. Запропоновано модель, яка якісно пояснює одержані результати. Проведено дослідження змін температурних залежностей рухливості носіїв заряду в монокристалах n-Si<P>, вирощених методом Чохральського, які відпалювалися і охолоджувалися за різних умов. Встановлено залежність рухливості носіїв заряду у випадку домішкового розсіювання не тільки від умов термовідпалу, але й від швидкості охолодження. Виявлено підвищення радіаційної стійкості кисневмісних кристалів n-кремнію приблизно на порядок при введенні ізовалентної домішки германію, на якій рекомбінують пари Френкеля, пригнічуючи таким чином введення глибоких дефектів вакансійного типу. Унаслідок легування кристалів кремнію домішкою германію встановлено суттєве зниження ефект

Автори роботи

Анохін Ігор Євгенович
Барабаш Людмила Іванівна
Верцімаха Ганна Віталіївна
Гайдар Галина Петрівна
Зінець Олег Сергійович
Карпенко Андрій Якович
Ластовецький Володимир Францевич
Литовченко Петро Григорович
Полівцев Леонід Андрійович
Сугаков Володимир Йосипович
Тартачник Володимир Петрович

Додано в НРАТ

2020-04-02