Реєстраційний номер
0218U002324,
0115U003260
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Ефекти спільної дії світла та механічної напруги на структуру електронних станів шаруватих напівпровідників
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Стахіра Йосип Михайлович,
Дата реєстрації
14-02-2018
Організація виконавець
Львівський національний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Обґрунтовано планомірне створення дискретних періодів кристалічної ґратки шаруватих кристалів відносним зсувом шарів. Показано, що основні зміни, спричинені зсувом шарів, у структурі електронних станів зумовлені процесами зняття виродження енергій цих станів. Встановлено динаміку зняття виродження електронних станів, що дає змогу ідентифікувати їх за моментами часу зняття виродження. На основі цих результатів запропоновано оригінальний спосіб визначення спектральних складових світла за допомогою датчиків, виготовлених із шаруватих кристалів. Спосіб ґрунтується на зміні структури шаруватого кристала під впливом механічного тиску низької частоти, що змінюється за гармонічним законом. Цей спосіб дає змогу визначати спектральний склад оптичного випромінювання у видимій та ближній інфрачервоній областях спектра радіотехнічними засобами без використання диспергуючих елементів. Розробка захищена патентом на корисну модель Результати досліджень впливу одновісного тиску (p||c) на оптичні властивості шаруватих напівпровідників GaSe і Tl2S дали змогу перевірити застосовність нового фізичного механізму формування краю фундаментального поглинання (КФП) у непрямозонних напівпровідниках. Цей фізичний механізм полягає у формуванні КФП кристалів GaSe і Tl2S, який у цих сполуках за формою є близьким до експоненти (правило Урбаха), суперпозицією декількох типів непрямих міжзонних переходів електронів. Показано, що чисельні значення зонних параметрів, визначені за результатами моделювання, добре узгоджуються із значеннями цих параметрів, визначених за результатами розрахунків енергетичної зонної структури GaSe і Tl2S. Одержані результати дають змогу впевнено пропонувати використання цієї моделі для аналізу оптичних властивостей інших напівпровідників, у яких КФП формують декілька типів непрямих міжзонних переходів. Така модель також може бути ефективно використана як методика для визначення оптичної ширини забороненої зони у непрямозонних напівпровідниках, наприклад, у разі експоненціальної форми КФП. Це дасть змогу аналізувати динаміку зміни ширини забороненої зони напівпровідника у разі впливу на нього різних чинників, наприклад, одновісного тиску.
Опис продукції
Спосіб ґрунтується на зміні структури шаруватого кристала під впливом механічного тиску низької частоти, що змінюється за гармонічним законом. Для визначення спектральних складових світла використовують фотоелектричний відклик шаруватого напівпровідника. При цьому шаруватий кристал піддають пружній деформації зсуву, одночасно опромінюють досліджуваним електромагнітним промінням, одержують часові залежності струму у колі кристала, з яких за контрольованими моментами часу різкого зростання струму визначають частоту спектральних складових світла.
Автори роботи
Белюх Віктор Михайлович
Бужук Ярослава Михайлівна
Галій Павло Васильович
Данилюк Ганна Дмитрівна
Квашнівська Наталія Миколаівна
Коман Богдан Петрович
Стахіра Йосип Михайлович
Стахіра Роман Йосипович
Фіцич Олена Іванівна
Флюнт Орест Євгенович
Яровець Ігор Романович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
