Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U002326, 0116U001542 , Науково-дослідна робота Назва роботи Активні середовища для твердотільних сенсорів температури та електромагнітних випромінювань Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 14-02-2018 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Робота спрямована на розширення класу та створення нових функціональних матеріалів для сенсорної електроніки, розробку новітніх систем халькогенідних стекол придатних для біологічних сенсорів в інфрачервоному діапазоні випромінювання, формування стабільних і високочутливих напівпровідникових та оксидних сенсорів, що працюють в екстремальних умовах. Предметом дослідження були: процеси перенесення енергії електронних збуджень, генерації електромагнітних випромінювань у досліджуваних матеріалах та структурах; встановлення взаємозв'язку між умовами синтезу матеріалів та їх люмінесцентними властивостями; процеси еволюції структурних дефектів у кремнієвих p-n структурах. Вперше проведено дослідження ефектів введення галію в As-Se-Te-базовані стекла. Отримано нові середовища для біомедичних сенсорів на основі наноструктурно-модифікованих склуватих систем GaxAs30-xSe50Te20, легованих рідкісно земельними іонами з оптимальними експлуатаційними параметрами для реєстрації ранніх патологій. Розроблена технологія та отримано серії полікристалів Mg1Ga2O4: Mn та Mg1Ga2O4: Mn, Eu і гранатів складу Ca3Ga2Ge3O12 з різною концентрацією іонів Eu3+. Встановлено оптимальну концентрацію активатора Eu3+ у досліджуваних оксидах. Показано, що досліджувані оксиди є перспективними для використання в якості "червоних" люмінофорів. Встановлено, що введення методом високотемпературної (Т ? 1300 К) дифузії атомів кисню в приповерхневий шар кристалу кремнію супроводжується утворенням та підвищенням концентрації киснево-дислокаційних комплексів та термодонорів, які відповідальні за смугу (? = 1,54 мкм) в спектрі електролюмінесценції, а високотемпературний відпал кремнієвих світловипромінюючих структур, тривалістю більше 1 год., підвищує температурну стабільність центрів електролюмінесценції. Розроблена методика, яка дозволяє створювати стабільні, в широкому температурному діапазоні, та високоефективні світловипронінюючі структури на основі p-Si з високою концентрацією дислокацій (1010 см-2); Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості кремнієвих транзисторних термосенсорів, який базується на їхньому попередньому низькодозному опроміненні з подальшим термічним відпалом і часовою релаксацією за відповідною програмою (захищено патентом (корисна модель)). Сучасний рівень досліджень проведених в рамках виконання даної науково-дослідної роботи підтверджується публікацією отриманих результатів у значній кількості у рейтингових фахових журналах з високим імпакт-фактором. Окрім того, результати обговорювались на вітчизняних та міжнародних наукових конференціях та захищені трьома патентами на корисну модель. Опис продукції Під дією Х-променів у кристалах і, відповідно, у структурах на їхній основі таких як транзистори, може відбуватися одночасно низка конкуруючих процесів перебудови у системі дефектів, які призводять до зміни їхніх електричних характеристик. Проведення термічного відпалу після попереднього опромінення дає змогу стабілізувати параметри приладів. Автори роботи Грипа Андрій Сергійович Зоренко Тетяна Евгенівна Ковальчук Надія Орестівна Костик Людмила Василівна Кушлик Маркіян Олегович Лис Роман Мирославович Лучечко Андрій Петрович Михалевич Надія Юліанівна Павлик Богдан Васильович Шикоряк Йосип Андрійович Шпак Любов Михайлівна Шпотюк Ярослав Олегович Яровець Ігор Романович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити