Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U001105, 0116U002919 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження змін фізичних властивостей напівпровідників та приладів на їх основі за різної комбінації зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 14-01-2019 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Встановлено, що радіаційне легування дейтронами дає змогу формувати в об'ємі кремнію на глибинах до 780 мкм тонкі шари (30 - 200 мкм), які мають властивості, відмінні від властивостей вихідної матриці. Методами спектроскопії відбивання та спектральної еліпсометрії виявлено збудження поверхневих плазмонів і показано можливість керовано змінювати оптичні параметри композитів при впровадженні/нанесенні наночастинок Au у пористу матрицю Si (або в пористий шар SiO2 на поверхні Si) та додаткових термовідпалах. Встановлено, що внаслідок дії високотемпературного відпалу на кристали трансмутаційно легованого Si анізотропія термоЕРС захоплення істотно зростає порівняно з вихідними кристалами. Виявлено у кристалах GaP, підданих ультразвуковій обробці за низької температури (77 K), низькочастотні (декілька герц) коливання яскравості електролюмінісцентного свічення, котрі відбуваються в такт із коливаннями струму. Поява таких осциляцій, імовірно, зумовлена формуванням рухливих дислокаційних пакетів, які беруть участь у створенні дефектів темних ліній і дефектів темних плям. Встановлено, що УЗ хвиля, проходячи крізь кристал GaP, руйнує неоднорідності, на яких зароджуються мікроплазми. Тому метод УЗ обробки можна застосовувати для поліпшення випромінювальних властивостей р-n-структур, котрі містять підвищену концентрацію дефектів, у тому числі й кристалів, опромінених швидкими частинками. Опис продукції Встановлено, що радіаційне легування дейтронами дає змогу формувати в об'ємі Si тонкі шари, які мають властивості, відмінні від властивостей вихідної матриці. Показано можливість керування оптичними властивостями в околі збудження плазмонного резонансу тонкоплівкових гетеросистем з різномасштабними неоднорідностями поверхні. Виявлено істотне зростання анізотропії термоЕРС у трансмутаційно легованому Si під впливом високотемпературного відпалу. Встановлено, що УЗ хвиля, проходячи крізь кристал GaP, руйнує неоднорідності, на яких зароджуються мікроплазми. Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Ластовецький Володимир Францевич Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити