Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U002017, 0117U004890 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка нових нанорозмірних матеріалів на основі багатокомпонентних сполук та квазикристалів Назва етапу роботи Керівник роботи Кондратенко Валерій Володимирович, Дата реєстрації 20-02-2020 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкт дослідження - нанотовщинні шари металів та багатокомпонентних матеріалів, змішані шари, кристалічні та квазікристалічні плівки, багатошарові композиції (БК) Mg2Si/S, W/Mg2Si, WC/Si, W/Si, Sb/B4C, Sc/Si, Sc/C/Si, Sc/W/Si, Zr/Mg. Мета роботи - розробка, синтез і вивчення особливостей формування нанорозмірних плівкових композицій на основі нових сполучень матеріалів для створення високоефективної рентгенівської оптики та нанопокриттів. Методи дослідження - малокутова рентгенівська дифрактометрія, рентгенівський фазовий аналіз, високороздільна електронна просвічувальна мікроскопія, рентгенівська флуоресцентна спектрометрія. Методами рентгенівської дифрактометрії (? = 0,154051 нм) і електронної мікроскопії досліджені нанотовщинні багатошарові композиції (НБК) Mg2Si/Si, W/Mg2Si, WC/Si, W/Si, Sb/B4C, Sc/Si, Sc/C/Si, Sc/W/Si, Zr/Mg, отримані методом прямоточного магнетронного розпилення. Отримані дані про структуру, густину, міжшарову взаємодію наношарів у багатошарових композиціях Mg2Si/Si, W/Mg2Si, WC/Si, W/Si, Sb/B4C, Sc/Si, Sc/C/Si, Sc/W/Si, Zr/Mg у залежності від параметрів магнетронного напилення та температури відпалу. На основі результатів виконаних досліджень встановлені особливості змін в структурі багатошарових композицій Sb/В4С з кристалічним шарами Sb при термічній дії. Також вивчено вплив нагріву в інтервалі температур 100 - 600 °С на зміну конструкції БК Zr/Mg, яке було вирощене на кремнієвій підкладці. Досліджено особливості формування перемішаних зон в короткоперіодних БК W/Mg2Si в вихідному стані. Опис продукції Нанотовщинні плівкові композиції Mg2Si/Si, W/Mg2Si, WC/Si, Sb/B4C, Sc/C/Si, Sc/W/Si, Zr/Mg,TiZrNi, WSi/Si, а також додатково Sc/CrB2/Si та Mo/CrB2/Si з оптимізованою конструкцією для цілей рентгенівської оптики, зносостійких покрить, електронних приладів, інфрачервоних датчиків. Покриття WSi/Si для одно фотонного детектору інфрачервоного випромінювання. Автори роботи Батурин Олексій Анатолійович Девізенко Олександр Юрійович Копилець Ігор Анатолійович Малихін Сергій Володимирович Москалець Михайло Васильович Першин Юрій Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити