Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0220U100621, 0119U100300 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фотоніка плазмонних наноструктур для фотовольтаїки та сенсорики. Назва етапу роботи Керівник роботи Дмитрук Ігор Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-01-2020 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження: Структури-носії локальних плазмонів, плазмонних поляритонів та колективізованої плазмонної моди, а саме металеві та метал-напівпровідникові самоорганізовані наноструктури, наночастинки благородних металів. Мета роботи: Дослідження фундаментальних властивостей локалізованих та колективних когерентних електронних збуджень, їх взаємодії з електромагнітним випромінюванням, близькопольової взаємодії у плазмонних структурах з утворенням колективних плазмонних мод, процесу генерації носіїв заряду в метал-напівпровідникових наноструктурах. Методи дослідження: Атомно-силова (АСМ) та скануюча електронна мікроскопія (СЕМ), спектроскопія поглинання, відбивання, фотолюмінесценції (ФЛ), комбінаційного розсіяння світла (КРС). Під дією фемтосекундного лазерного випромінювання сформовано лазерно-індуковані періодичні поверхневі структури (ЛІППС) на поверхнях благородних та тугоплавких металів, сплавів, напівпровідників. Проаналізовано морфологію поверхні матеріалів. Визначені розміри наноструктур, виявлених на ЛІППС. Запропоновано фізичні механізми формування особливостей лазерно-індукованих структур (двократне зменшення періоду та утворення дислокацій) на поверхні металів. А саме, генерація другої гармоніки та утворення оптичних вихорів у розсіяній хвилі. Зареєстровано фотострум в метал-напівпровідникових структурах, сформованих з наночастинок (НЧ) золота на текстурованій поверхні напівпровідника А3В5 (n-GaAs (100)) при енергіях фотонів, менших за ширину забороненої зони GaAs, що зумовлено генерацією носіїв струму за рахунок двофотонного поглинання завдяки підсиленню локального поля поверхневих плазмонів поблизу золотих НЧ та нанодротів. Досягнуто плазмонне підсилення (в 1120 разів) ФЛ 5'-дезоксиаденозинмонофосфату на метаповерхнях на основі срібних підкладок, структурованих фемтосекундними лазерними імпульсами, та срібних нанопризм. Опис продукції Під дією фемтосекундного лазерного випромінювання сформовано лазерно-індуковані періодичні поверхневі структури (ЛІППС) на поверхнях благородних та тугоплавких металів, сплавів, напівпровідників. Проаналізовано морфологію поверхні матеріалів. Визначені розміри наноструктур, виявлених на ЛІППС. Запропоновано фізичні механізми формування особливостей лазерно-індукованих структур (двократне зменшення періоду та утворення дислокацій) на поверхні металів. А саме, генерація другої гармоніки та утворення оптичних вихорів у розсіяній хвилі. Зареєстровано фотострум в метал-напівпровідникових структурах, сформованих з наночастинок (НЧ) золота на текстурованій поверхні напівпровідника А3В5 (n-GaAs (100)) при енергіях фотонів, менших за ширину забороненої зони GaAs, що зумовлено генерацією носіїв струму за рахунок двофотонного поглинання завдяки підсиленню локального поля поверхневих плазмонів поблизу золотих НЧ та нанодротів. Досягнуто плазмонне підсилення (в 1120 разів) ФЛ 5'-дезоксиаденозинмонофосфату на метаповерхнях на основі срібних підкладок, структурованих фемтосекундними лазерними імпульсами, та срібних нанопризм. Продемонстроване підсилення є результатом синергетичної дії збудження колективізованої плазмонної моди плазмонної порожнини та утворення гарячих точок біля гострих країв ЛІППС та срібних нанопризм. Вивчено зміни у спектрі ФЛ поверхні кристалів ZnSe після лазерного структурування. Автори роботи Єщенко Олег Анатолійович Березовська Наталія Іванівна Дегода Володимир Якович Дмитрук Ігор Миколайович Колодка Роман Степанович Косач Віталій Віталійович Лосицький Михайло Юрійович Становий Олександр Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Дмитрук Ігор Миколайович. Фотоніка плазмонних наноструктур для фотовольтаїки та сенсорики.. (Етап: ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0220U100621
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28