Реєстраційний номер
0221U101555,
0120U104606
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Тверді розчини GeSn для покращеної генерації струму та збору носіїв заряду в тандемних сонячних елементах
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кондратенко Сергій Вікторович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
22-01-2021
Організація виконавець
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис етапу
Розроблено гетероструктури GeSn/Ge/Si з оптимізованою геометрією та морфологією плівок GeSn, що демонструють фотовідгук у середньому ІЧ-діапазоні та встановлено природу фотолюмінесценції та фотопровідності в напружених твердих розчинах GeSn різного компонентного складу. Проведено дослідження морфології тонких плівок GeSn та їх фотоелектричних властивостей методами атомно-силової мікроскопії, кінетичних вимірів релаксації фотоструму та спектроскопії фотопровідності. Вивчено механізми рекомбінації носіїв фотозбуджених носіїв заряду в тонких плівках GeSn різного компонентного складу. Створено модель, яка описує температурну залежність час життя носіїв заряду припускаючи одночасний вплив рекомбінації Шоклі-Ріда-Холла та випромінювальної рекомбінації. Було встановлено, що дислокації спричинюють появу смуги електронних станів з найвищим зайнятим станом з енергією EV + (85 ÷ 90) меВ, яка виконує роль центрів рекомбінації Шоклі-Ріда-Холла, і визначає час життя носія заряду. Застосування методів спектроскопії фотолюмінесценції та фотопровідності дозволило виокремити внесок електронних міжзонних переходів, і переходів, пов'язаних з дислокаціями. Показано, що в непрямозонних плівках GeSn глибокі рівні дислокацій спричинують зсув спектрів фотолюмінесценції в бік менших енергій на 80±20 меВ відносно краю спектра фотопровідності. З’ясовано роль глибшого акцепторного рівня при EV + (140 ÷ 160) меВ у процесах рекомбінації носіїв заряду в плівках GeSn з кращою структурною досконалістю та вмістом Sn вище за 4%.
Опис продукції
Автори роботи
Даценко Олександр Іванович
Козаченко Віктор Васильович
Додано/оновлено в НРАТ
2021-01-22
