Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U103358, 0118U006408 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові напівпровідникові 1D- і 2D-структури на основі ВНТ та оксидів перехідних металів для використання в ефективних термофотоперетворювачах енергії та сенсорах Назва етапу роботи Керівник роботи Лень Євген Георгійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-02-2021 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова Національної академії наук України Опис етапу Методом RPLD (Reactive Pulse Laser Deposition) в реакціях Cr в атмосфері CH4 синтезовано 2D-структури на підкладинках з високоомного Si. Показано, що вони є одними з найперспективніших матеріалів для виготовлення високочутливих термо- та фотосенсорів, що працюють за помірних температур. При цьому вони одержані в рамках «зеленої» технології. Розроблено принципи побудови та оптимізації властивостей метал-вуглецевих електродів прямих низькотемпературних перетворювачів сонячної енергії в електричну, що базуються на нелокальних у часі та просторі процесах поетапного збудження електронів у наноструктурованому твердому тілі та їх емісії у вакуум. Опис продукції Автори роботи Галстян Ірина Євгенівна Герасимов Олександр Юрійович Михайлова Галина Юріївна Муленко Сергій Анатолійович Патока Віктор Іванович Рудь Михайло Олександрович Сидорченко Ігор Михайлович Смольнік Святослав Вікторович Цапко Євген Андрійович Шатній Тетяна Дмитрівна Шевченко Микола Якимович Якимчук Микола Миколайович Додано в НРАТ 2021-02-18 Закрити