Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U103681, 0118U000141 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційностійкі матеріали і фотоприймачі оптичного та іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів телуридів Назва етапу роботи Керівник роботи Склярчук Валерій Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-02-2021 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу  Були проведені дослідження процесів плавлення та кристалізації твердих розчинів Cd(Zn)Te, проведено синтез вихідних базових сполук (In2Te3, HgTe) для отримання вихідного складу Hg3In2Te6, та його синтез. На основі отриманих даних диференціально-термічного аналізу було розроблено режим вирощування монокристалічних злитків Hg3In2Te6. На основі проведених досліджень оптимізовано технологію синтезу і вирощування кристалів Hg3In2Te6, Hg2MnIn2Te6 та Cd(Zn)Te для створення на їх основі детекторів оптичного та іонізуючого випромінювання. Вперше застосовано обертання контейнера під кутом до горизонту, що дозволило вирівняти фронт кристалізації і підвищити однорідність матеріалу Hg3In2Te6, Hg2MnIn2Te6. Завдяки комплексному дослідженню температурної залежності струмів омічної ділянки вольт-амперної характеристики та СОПЗ встановлено зв'язок між енергетичним положенням і ступенем компенсації глибокого рівня, відповідального за темнову провідність кристалів та детектуючими властивостями структур, які виготовлені на цих кристалах. Досліджено електричні та спектрометричні характеристики Cr/р-CdTe/Pt детекторів іонізуючого випромінювання, розроблено методику, на основі якої проведено оцінку концентрації некомпенсованих домішок в напівізолюючих кристалах Cd(Zn)Te та CdTe. Проведені дослідження важливих параметрів фотодіодів Cr/InHgTe/Cr переконливо свідчать про перспективність використання підкладинок з поверхневою наноструктурою для виготовлення фотодіодів на основі InHgTe та Hg2MnIn2Te6, які володіють істотно кращою температурною стабільністю, високими значеннями ФЕРС і струмової монохроматичної чутливості в порівнянні з аналогічними структурами на основі підкладок Hg3In2Te6 c дзеркальною поверхнею. Вперше створено діоди на основі Hg3In2Te6, здатні працювати при високих обернених напругах – (250-300) В, здатні працювати в умовах підвищеної радіації. Розроблено технологію, яка дозволила істотно покращити якість випрямляючого контакту діодної структури на основі CdTe і Cd(Zn)Te. Опис продукції Автори роботи Дремлюженко Сергій Григорович Колісник Михайло Георгійович Склярчук Валерій Михайлович Фочук Петро Михайлович Додано в НРАТ 2021-02-24 Закрити