Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U000192, 0120U104992 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка критеріїв відбору односекторних пластин HPHT-алмазу, синтезованих з використанням нових складів розчинників вуглецю, для їх використання в діодах Шотткі і підкладках тепловідводу, обґрунтування їх приладної архітектури і фізичних принципів функціонування. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-01-2022 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Досліджено та проведено паспортизацію структурних властивостей, домішкового та дефектного складу, морфології поверхні та електрофізичних параметрів синтезованих партій монокристалів та пластин HPHT-алмазу типу IIa, Ib+IIa та IIb. З використанням мікро-раманівської спектроскопії оцінено фононні властивості та структурну якість синтезованих партій монокристалів HPHT-алмазу. Методом мікро-раманівського картографування вивчено особливості просторового розподілу домішки бору в багатосекторних пластинах алмазу типу IIb. З використанням ІЧ Фур’є спектроскопії вивчено дефектно-домішковий склад, зокрема, вміст домішок азоту та бору в монокристалах HPHT-алмазу типу Ib+IIa та IIb. Методом мікро-ІЧ картографування вивчено просторовий розподіл домішок бору та азоту в багатосекторних пластинах алмазу. За спектрами низькотемпературної ФЛ оцінено випромінювальні властивості та спектроскопічні особливості дефектів синтезованих партій HPHT-алмазу. Показано, що відмінності електронних та оптичних властивостей досліджуваних алмазів типу IIa та Ib+IIa обумовлені різним рівнем вбудовування домішки азоту в залежності від технологічних умов синтезу. Методами силової зондової мікроскопії досліджено структурну морфологію поверхні та електрофізичні параметри синтезованих партій монокристалів HPHT-алмазу. Методом провідної АСМ проведено оцінку просторового розподілу електрофізичних параметрів різних секторів росту багатосекторних пластин. Проведено пробне вакуумне осадження контактів для формування вертикальних структур діодів Шотткі на пластинах алмазу типу IIb, та отримано перші оцінки їх вольт-амперних характеристик. Опис продукції Автори роботи Даниленко Ігор Миколайович Малюта Сергій Васильович Ніколенко Андрій Сергійович Стубров Юрій Юрійович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити