Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U000768, 0119U100731 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові підходи у розвитку структурно-чутливої Х-променевої спектрометрії та дифрактометрії складних кристалічних сполук, тонкоплівкових та нанорозмірних шаруватих систем Назва етапу роботи Керівник роботи Фодчук Ігор Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-01-2022 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу За допомогою методів двокристальної спектрометрії та дифрактометрії, косонесиметричної топографії, атомно-силової мікроскопії та методу мас-спектрометрії вторинних іонів авторами проведені комплексні дослідження механізмів та динаміки структурних змін, які відбуваються в епітаксіальних шарах залізо-ітрієвих гранатів, приповерхневих шарах монокристалів CdTe, епітаксійних структурах CdхHg1-хTe до і після імплантації іонів арсену та в пористому кремнії до і після іонної імплантації фосфору. Основними завданнями роботи було створення нових оригінальних методик кількісної оцінки структурної неоднорідності кристалічних сполук, а також характеру структурних змін, отриманих при дії різних зовнішніх чинників при використанні методів Х-променевої багатохвильової дифрактометрії та дифракції повільних електронів на відбивання; розробка нових програмних продуктів для обробки даних експериментів у випадку реалізації різних схем дифракції Х-променів, які дозволять виявити структурні зміни у кристалах, підданих зовнішньому впливу (атермічним процесам мікрохвильового ви-промінювання, швидкій термічній обробці та іонізуючій радіації);розробка теоретичних основ багаторівневої обробки експериментальних Х-променевих та електронних сигналів, що містять концепцію обчислення й аналізу додат-кових рівнів сигналів, забезпечують реалізацію ефективних методів фільтра-ції, апроксимації, локальної обробки і аналізу сигналів з використанням засо-бів штучного інтелекту, які призначені для суміщення зображень за допомо-гою генетичних алгоритмів та аналізу параметрів сигналів за допомогою штучних нейронних мереж; -розробка та обґрунтування теоретичної моделі дослідження морфології поверхні кристалів CdTe та її вплив на явища переносу заряду і механізми детектування Х- і γ-випромінювання. Опис продукції Автори роботи Баловсяк Сергій Васильович Борча Мар'яна Драгошівна Гуцуляк Іван Іванович Довганюк Володимир Васильович Коцюбинський Володимир Олегович Литвин Петро Мар'янович Маслянчук Олена Леонідівна Роман Юрій Тодорович Солодкий Микола Степанович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити