Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0222U001121, 0121U111874 , Науково-дослідна робота Назва роботи Плазмонні наноструктури "напівпровідник-метал-діелектрик" для високочутливих сенсорів шкідливих випарів органічних речовин промислового походження Назва етапу роботи Керівник роботи Дорожинський Гліб Вячеславович, Кандидат технічних наук Дата реєстрації 24-01-2022 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу  Було проведено інформаційно-патентний пошук та аналіз конструкції та технології виготовлення наноструктур існуючих газових сенсорів, що містять оксиди олова та індію чи шари політетрафторетилену. За результатами пошуку було встановлено, що обраний напрям досліджень є актуальним і перспективним. Виконано чисельне моделювання рефрактометричних характеристик ППР наноструктур «ITO-Au-ПТФЕ» в діапазоні довжин хвиль збудження поверхневих плазмонів від 500 до 1600 нм. За результатами моделювання якого встановлено, що збільшення товщини ІТО практично не впливає на зсув кутового положення резонансу (0,4 кут.сек./нм), але при цьому збільшення товщини плівки ПТФЕ суттєво зсуває резонанс (0,33 град./нм). Було визначено оптимальні товщини для ITO (66 нм) та ПТФЕ (від 10 нм до 40 нм), які задовольняють метрологічні характеристики приладу «Плазмон-6», який було застосовано в дослідженні. Враховуючи результати моделювання було виготовлено наноструктури «ITO-Au-ПТФЕ» з різною товщиною ПТФЕ та визначено їх морфології та оптичні константи. Використовуючи методи атомно-силової мікроскопії та рефрактометрії ППР було встановлено, що застосування підшару ITO призвело до збільшення у 1,5 рази середньоквадратичної шорсткості поверхні ПТФЕ та зменшення в середньому на 20% коефіцієнта екстинції плівки золота. Експериментально встановлено характер впливу температурних режимів роботи на оптичні константи плазмон-носійного шару золота наноструктури «ITO-Au-ПТФЕ», зокрема лінійне збільшення показника заломлення та зменшення коефіцієнту екстинції зі зростанням температури. Було підтверджено ефективність застосування підшару ІТО у якості плівкового нагрівача у ППР-сенсорі приладу «Плазмон-6», зокрема було експериментально показано зниження споживаної електричної потужності у 1,5 рази з 3,4 Вт до 2,3 Вт у порівнянні з існуючим резистивним нагрівачем. Опис продукції Автори роботи Дорожинська Ганна Василівна Федоренко Артем Вячеславович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Дорожинський Гліб Вячеславович. Плазмонні наноструктури "напівпровідник-метал-діелектрик" для високочутливих сенсорів шкідливих випарів органічних речовин промислового походження. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0222U001121
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28