Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U001179, 0119U100730 , Науково-дослідна робота Назва роботи Високоякісні поверхнево-бар’єрні структури на основі тонких плівок нітридів металів для електроніки та фотовольтаїки Назва етапу роботи Керівник роботи Майструк Едуард Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-01-2022 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу  Напівпровідникові гетеропереходи MoN/n-Si були виготовлені шляхом напилення тонких плівок нітриду молібдену методом реактивного магнетронного напилення. Із дослідження їх ВАХ та ВФХ встановлено, що вирощення нанодротів призводить до деякого погіршення електричних властивостей і зонних параметрів гетеропереходів MoN/n-Si, проте подальше травлення в HF позитивно впливає на електричні властивості й зонні параметри гетероструктур. Механізм проходження струму через гетеропереходи не залежить від травлення в HF, за невеликих прямих зміщень - генераційно-рекомбінаційний, при більших прямих зміщеннях - тунельно-рекомбінаційний, при зворотних зміщеннях - тунелювання через область просторового заряду. Послідовний опір для гетероструктур з вирощеними нанодротами і травленими в HF суттєво впливає на їхні вольт-фарадні характеристики. Основні фотоелектричні параметри гетероструктур MoN/n-Si з вирощеними нанодротами і травленими в HF, а саме напруга холостого ходу Voc = 0.13 В, струм короткого замикання Isc = 0.54 мА/см2 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см2. Опис продукції Автори роботи Ілащук Марія Іванівна Андрущак Галина Олегівна Козярський Дмитро Петрович Майструк Едуард Васильович Мостовий Андрій Ігорович Орлецький Іван Григорович Солован Михайло Миколайович Ульяницький Костянтин Сергійович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити