Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0222U003471, 0119U100326 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізико-хімічних процесів у напівпровідникових наноматеріалах та їх інтерфейсах для приладів сенсорики та діагностики. Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 29-03-2022 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження: твердотільні напівпровідникові наноматеріали, їх колоїдні розчини та процеси взаємодії в інтерфейсах напівпровідників та нанокомпозитів з аналітом. Мета роботи: створення фізико-хімічних засад функціювання високоефективних сенсорних та діагностичних систем для аналізу газів та рідинних розчинів. Методи дослідження: фотолюмінесценція, скануюча електронна мікроскопія, фотоелектричні та електрофізичні методи, імпедансна, інфрачервона Фур’є та раманівська спектроскопії, електрохімічне травлення, метод головних компонент, сольвотермічний синтез. Розроблено технологію створення нових наноматеріалів та структур для сенсорів (пористий арсенид галію та пористий карбід кремнію, вуглецеві наночастинки різного складу). Розроблено нову методику функціоналізації вуглецевих наноматеріалів за рахунок фторування вуглецевих мікросфер. Досліджено оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні ефекти в розроблених наноструктурованих напівпровідниках та вплив на ці ефекти газового середовища. З’ясовано механізми електронного транспорту в плівках SiOX з наночастинками кремнію та обгрунтовуються механізми рекомбінації в пористих GaAs та SiC. Розроблена теоретична модель рекомбінаційного сенсору на основі бар’єрних структур з глибоким р-n переходом. Вперше розраховано аналітичну залежність фотоструму від приповерхневого вигину зон і показано, що робота такого сенсору може бути поясненою в рамках теорії Стівенсона-Кейса. Показано, що «оптоелектронний язик» на основі структур Si-Si/SiNX з використанням методу головних компонент дозволяє розпізнавати рослинні олії. Розвинуто метод параметричного освітлення для створення рН сенсора на основі фотоелектричного рекомбінаційного трансдьюсера. На основі глибокого р-n переходу в кремнії створені сенсори для розпізнавання водних розчинів вуглецевих нанотрубок (CNT) з металічним та напівпровідниковим типом провідності. Опис продукції Автори роботи Євтух Анатолій Антонович Іванов Іван Іванович Бунак Сергій Валерійович Гаврильченко Ірина Валеріївна Грабчук Галина Петрівна Задерко Олександр Миколайович Козинець Олексій Володимирович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Марін Володимир Володимирович Русінчук Наталя Миколаївна Тименова Ольга Вікторівна Топчило Анна Сергіївна Циганова Ганна Іскаківна Додано в НРАТ 2022-03-29 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Скришевський Валерій Антонович. Дослідження фізико-хімічних процесів у напівпровідникових наноматеріалах та їх інтерфейсах для приладів сенсорики та діагностики.. (Етап: ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0222U003471
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-26