Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U001618, 0121U109519 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-технологічні засади отримання плівок Cu2(Zn; Al, Ag)(Sn; In; Ga)S4 та карбіду кремнію на поруватих підкладках кремнію Назва етапу роботи Керівник роботи Кідалов Валерій Віталійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-02-2023 Організація виконавець Таврійський державний агротехнологічний університет імені Дмитра Моторного Опис етапу  Об'єкт дослідження – фізико-хімічні процеси, що відбуваються в результаті утворення плівки SiC на підкладках поруватого кремнію та з'єднань А2В6, А3В5, Ga2O3 на SiC/porousSi/Si, електрофізичні та структурні властивості Cu2(Zn;Al,Ag)(Sn;In;Ga)S4 та електрофізичні властивості гетероструктур Cu2(Zn;Al,Ag)(Sn;In;Ga)S4/porousSi/Si та Cu2(Zn;Al,Ag)(Sn;In;Ga)S4/Mo/porousSi/Si. Мета – створення наукових основ керованого синтезу епітаксійних плівок та наноструктур широкозонних напівпровідників (А2В6, А3В5,Ga2O3) на наноплівках SiC отриманих на поруватому кремнію, а також синтез четверних сполук Cu2(Zn;Al,Ag)(Sn;In;Ga)S4, дослідження фізичних процесів, що протікають в цих матеріалах при різних методах їх синтезу, аналіз впливу домішок, режимів синтезу та наступних технологічних обробок на структуру, фазові переходи та пов’язані з ними структурні спотворення в матеріалі, а також створення приладових структур нового покоління. Результати: досліджено формування гетероструктури Ga2O3/porous-Si/Si. Плівки Ga2O3 отримано шляхом РЧ магнетронного розпилення на поруватому Si (100). Методами СЕМ, рентгенівської дифрактометрії та EDAX досліджено плівку Ga2O3. Дослідження дозволяють стверджувати про формування межі SiO2 між Ga2O3 і Si. Результати спектроскопії адмітансу свідчать про існування принаймні двох процесів переносу заряду: всередині об’єму кристалітів та уздовж меж кристалітів. Енергія активації цих процесів дорівнює 0,58еВ і 0,78еВ відповідно. Досліджено отримання дрібнодисперсного Cu2ZnSnS4 методом самопоширюваного високотемпературного синтезу (СВС). Проведено дослідження комбінаційного розсіювання світла та ІЧ-Фур'є спектроскопії. Методом СВС отримано порошок ZnS:Mn,Mg, одночасним введенням домішок Mn та Mg. Виявлено, що одночасне введення домішок призводить до нерівномірного розподілу марганцю, який формує області з меншою та більшою концентрацією M, іони марганцю утворюють парамагнітні кластери. Опис продукції Автори роботи Дьоміна Наталя Анатоліївна Дяденчук Альона Федорівна Жук Антон Геннадійович Онищенко Галина Олександрівна Додано в НРАТ 2023-02-01 Закрити