Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U001761, 0120U102202 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення наукових і технологічних основ створення елементів мікро- і наносистемної техніки на основі базових сенсорних напівпровідникових кристалів та наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Дружинін Анатолій Олександрович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 02-02-2023 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу  Вдосконалено методики отримання, а також дослідження електрофізичних характеристик на постійному та змінному струмі експериментальних зразків ниткоподібних кристалів і наноструктур (Si, Ge, SiGe, InSb, GaSb, GaAs) заданого складу, морфології, стехіометрії, рівня легування та геометричних розмірів. Встановлено кореляцію між особливостями зміни електро- і магнітотранспортних властивостей ниткоподібних кристалів і наноструктур (Si, Ge, SiGe, InSb, GaSb, GaAs) з різною концентрацією легуючої домішки в широкому інтервалі температур і сильних магнітних полях. Доповнено теоретичні уявлення про механізми стрибкової провідності в квазіодновимірних напівпровідникових структурах. Розроблено експериментальні зразки сенсорних і перетворювальних пристроїв на основі напівпровідникових мікро- і нанокристалів (Si, Si-Ge, сполук А3В5), а також багатофункційні сенсори в складі інформаційно-вимірювальних систем, дієздатних в складних умовах експлуатації (ударні навантаження, радіація, вібрації, низькі та підвищені температури). Опис продукції Автори роботи Гарасим Ірина Данилівна Кутраков Олексій Петрович Лях-Кагуй Наталія Степанівна Нічкало Степан Ігорович Островський Ігор Петрович Темірова Олена Хадзіметівна Ховерко Юрій Миколайович Додано в НРАТ 2023-02-02 Закрити