Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U002444, 0119U100357 , Науково-дослідна робота Назва роботи Мультифункціональні наноструктуровані сіткові композити на основі склуватих халькогенідів, халькогалогенідів та боратів Назва етапу роботи Керівник роботи Шпотюк Олег Йосипович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-02-2023 Організація виконавець Інститут фізичної оптики імені О.Г. Влоха Міністерства освіти і науки України Опис етапу  В результаті виконання IІ етапу проекту досліджено ефекти домішкового наноструктурування ковалентно-сіткових склуватих композитів (КССНК) на основі склуватих халькогенідів (СХ), халькогалогенідів (СХГ) та боратів (СБ), викликані впровадженням рідкісноземельних активаторів, проведено їх мікроструктурну та оптичну характеризацію, зокрема: - синтезовано та підготовлено відповідні взірці домішково-модифікованих стекол і керамік типу СХ As/Ge-S/S-Ga (склади As40Se60; Ga1(As0.4Se0.6)99; Ga2(As0.4Se0.6)98; Ga3(As0.4Se0.6)97; Ga4(As0.4Se0.6)96; Ga5(As0.4Se0.6)95), СХГ типу GeS2-Ga2S3-CsCl (склади (80GeS2-20Ga2S3)100-x(CsCl)x, а саме 80GeS2-20Ga2S3, (80GeS2-20Ga2S3)95(CsCl)5, (80GeS2-20Ga2S3)90(CsCl)10, (80GeS2-20Ga2S3)85(CsCl)15, а також оптимізований склад 65GeS2-25Ga2S3-10CsCl), СБ Li2B4O7-CaB4O7-LiKB4O7 (склади Li2B4O7:Ag та Li2B4O7:Gd,Ag, LiKB4O7:Ag та LiKB4O7:Gd,Ag, Li2B4O7:Er та Li2B4O7:Er,Ag), а також LiB3O5; - вивчено композиційні особливості впровадження Ga в СХ As/Ge-S/S-Ga, CsCl в СХГ GeS2-Ga2S3, Ag і Cu в СБ типу Li2B4O7, CaB4O7, LiKB4O7; досліджено їх мікроструктуру (методами Х-променевої дифрактометрії першого гострого дифракційного піку, ПГДП; електронного парамагнітного резонансу, ЕПР та позитронно-електронної анігіляційної спектроскопії, ПЕАС); - параметризовано оптичні характеристики та відпрацьовано феноменологічну модель домішкового наноструктурування в КССНК на основі СХ As/Ge-S/S-Ga, СХГ типу GeS2-Ga2S3-CsCl та СБ Li2B4O7-CaB4O7-LiKB4O7 і LiB3O5. На основі отриманих результатів обґрунтована методологія створення домішкових функціональних нанонеоднорідностей в КССНК на основі СХ, СХГ та СБ з оптимізованими характеристиками для відтворюваних елементів оптоелектроніки, ІЧ фотоніки, сенсорної та оптотелекомунікаційної техніки. Опис продукції Автори роботи Адамів Володимир Теодорович Бойко Віталій Теодорович Дудок Тарас Григорович Падляк Богдан Володимирович Теслюк Ігор Михайлович Шпотюк Любов Йосипівна Шпотюк Олег Йоcипович Додано в НРАТ 2023-02-21 Закрити