Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U002848, 0117U003398 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології надпровідної металізації і багаторівневої розводки субмікронних структур ВІС/НВІС Назва етапу роботи Керівник роботи Новосядлий Степан Петрович, Дата реєстрації 13-03-2023 Організація виконавець Коломийський інститут ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" Опис етапу  РЕФЕРАТ Звіт про НДР: “Розробка технології надпровідної металізації і багаторівневої розводки субмікронних структур ВІС/НВІС” 31 с., 7 рис., 1 табл., 20 джерел. Об'єкт дослідження – елементи інтегральних приладних субмікрометрових структур ВІС/НВІС. Метою роботи є розробка технології виготовлення мішеней і магнетронного осадження з використанням плівок для багаторівневої розводки GaAs-структур на Si-підкладках. Методи дослідження – системний метод пізнання, поєднання загальнонаукових та спеціальних методів дослідження, аналізу й синтезу, індукції та дедукції, абстрагування та узагальнення. Розглянуто технологічні аспекти використання надпровідних матеріалів та показано можливість виготовлення мішеней для магнетронного осадження плівок для формування кріопровідної розводки в структурах ВІС на основі GaAs. Визначенні технологічні методи і режими та розроблено високоефективну технологію виготовлення кріосплавів на основі Al, Nb, V з домішками Si, Ge та РЗМ та магнетронного формування надпровідних плівок із сплавів алюмінію, ніобію та ванадію. Зокрема встановлено технологічні режими (величина іонного струму, прискорююча напруга, швидкість осадження, склад плазми, рівномірність компонентів по діаметру кремнієвої підкладки) які забезпечують товщину плівок на рівні 0,6–1 мкм. Незначні термомеханічні напруги (біля 1 кГ/см2) та малий розмір зерна (~10 нм) дозволять досягти відмінної адгезії осаджених плівок та фотолітографією сформувати топологічний рисунок субмікронних розмірів. Досліджено параметри і характеристики польових GaAs-транзисторів Шотткі (висота бар’єра Шотткі 0,5–0,8 еВ, фактор неідеальності 1,2–2 та напругу пробою бар’єра Шотткі 15–30 В) на гомо- та гетероструктурах та визначені методи підвищення їх швидкодії та структур ВІС. Показано, що збільшення швидкодії структур ВІС/НВІС на арсеніді галію досягається використанням термостійких кріоматеріалів в ролі електродів затвора, провідників і контактів стік-витокових областей польових транзисторів Шотткі (ПТШ). Опис продукції Автори роботи Бенько Тарас Григорович Голота Віктор Іванович Грига Володимир Михайлович Дзундза Богдан Степанович Когут Ігор Григорович Павлюк Мирослав Федорович Додано в НРАТ 2023-03-13 Закрити