Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U003797, 0122U000942 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефективні матеріали для напівпровідникової техніки на основі халькогенідів та галогенідів металів Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, д.х.н. Дата реєстрації 03-07-2023 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу  Розробка технології отримання стекол та монокристалів, оптичні елементи з яких будуть використані у нелінійно-оптичних пристроях інфрачервоного (ІЧ) діапазону: лазерах, лідарах, військовій техніці та є матеріалами подвійного призначення. Робота спрямована на вирішення важливих питань безпеки та обороноздатності України, оскільки будуть вивчені механізми, відповідальні за лінійні та нелінійно-оптичні процеси у стеклах та монокристалах сполук, що утворюються в системах Ag2S – Ge(Sn)S(Se)2 – As(Sb)2S(Se)3, Ag2S – GeS2 – Ga2S3, Tl2S – GeS2 – Ga2S3, Ga2S3–GeS2–As(Sb)2S3, AgCl(Br,I)–Ga(In)2S3–La2S3 легованих РЗМ (Pr, Nd, Dy, Er), з метою вдосконалення їх роботи. Будуть визначені оптимальні склади скляних матриць та концентрацій легуючих домішок, оптимальні параметри вирощування якісних монокристалів, що забезпечать задані параметри випромінювання атомів РЗМ у ІЧ діапазоні. Даний проєкт базується, в тому числі, на авторських результатах попередніх фундаментальних та прикладних досліджень і його кінцевим продуктом є матеріали з покращеними фізичними та фізико-хімічними характеристиками, як основа для ефективних випромінювачів і перетворювачів світла у ближньому та середньому ІЧ діапазонах спектру. Опис продукції Автори роботи Іващенко Інна Алімівна Галян Володимир Володимирович Гулай Любомир Дмитрович Олексеюк Іван Дитрович Піскач Людмила Василівна Додано в НРАТ 2023-07-03 Закрити