Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U004433, 0120U105573 , Науково-дослідна робота Назва роботи Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатенко Юрій Павлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-11-2023 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу  Визначено значення ширини забороненої зони (Eg) для плівок Cu2MgxZn1-xSnS4. Показано, що величина Eg змінюється від 1.47 еВ для плівок для Х=0 до 1.13 еВ із Х=1. Встановлено, що найкращу оптичну якість мають плівки для твердого розчину при Х ≤ 0.20, для яких значення Eg=1.28 еВ. Показано, що досліджувані плівки можуть бути використані як ефективний поглинаючий шар для сонячних комірок третьої генерації. Встановлено, що значення Eg у випадку непрямих дозволених переходів для сполуки SnS складає 1.15 еВ. В той же час найдено, що енергія Eg для прямих дозволених переходів для SnS відповідає 1.72 еВ. Показано, що величина Eg для кристалічної фази Sn2S3 складає 1.08 еВ і відповідає забороненим прямим переходам. Визначено енергію Eg для непрямих заборонених зона-зонних переходів для кристалічної фази SnS2, яка складає близько 2.20 еВ. Виявлено ряд смуг фотопровідності, які відображають електронні зона-зонні переходи в сполуках SnS та Sn2S3 при енергіях 1.15 еВ та 1.08 еВ, відповідно. Опис продукції Автори роботи Буківський Анатолій Петрович Гнатенко Юрій Павлович Додано в НРАТ 2023-11-01 Закрити