Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U004882, 0120U104975 , Науково-дослідна робота Назва роботи I-1-20 Монокристали нітриду галію GaN: отримання під високим тиском, структура, властивості Назва етапу роботи Керівник роботи Туркевич Володимир Зіновійович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 07-12-2023 Організація виконавець Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля Національної академії наук України Опис етапу  Встановлена можливість ефективного Ga, N- переносу, переважно в умовах Т-градієнта, при використанні розчинників на основі заліза. Повідомляється про перші результати з росту кристалів GaN методом HP-HT, який широко використовується при вирощуванні високоякісного алмазу. Побудовані подвійні та потрійні діаграми стану та фазових рівноваг в системі Fe-Ga-N, як для нормальних умов, так і при високих тисках. За методом контактних пар експериментально досліджена розчинність GaN в АРМКО-залізі, нітриді заліза складу Fe2-4N та сплаві (Co/Cr)евт яка свідчать про істотні залежності динаміки процесу від р,Т,t-параметрів (до тиску 8,3 ГПа) та природи розчинника. Певну специфіку гетерогенної нуклеації та росту GaN спостерігали в разі металоподібного сплаву Fe-Ga-N, та сплаву, що містить In. Ефекти текстуризації при агрегатному рості та сокристалізації, з захопленням граткою домішок Fe, виявлені при рентгенівському та оптичному вивченні зразків. Опис продукції Автори роботи Каменських Дмитро Сергійович Кущ Ольга Василівна Мазяр Денис Миколайович Пацик Андрій Миколайович Петруша Ігор Андрійович Полотняк Сергій Борисович Романенко Ярослав Михайлович Румянцева Юлія Юріївна Садова Юлія Іванівна Циканюк Богдан Ігорович Чернієнко Олександр Іванович Додано в НРАТ 2023-12-07 Закрити