Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U001278, 0118U005516 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фотоструктурні та фотохімічні ефекти у тонкоплівкових матеріалах на основі халькогенідів арсену та германію, легованих елементами II та III груп Назва етапу роботи Керівник роботи Гомоннай Олександр Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-01-2024 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу  Звіт про НДР: 243 с., 71 рис., 343 джерела. Мета роботи – вивчення процесів формування масивів мезоскопічних напівпровідників у матрицях аморфних напівпровідникових халькогенідів арсену і германію, легованих елементами ІІ і ІІІ груп, внаслідок фото- і термообробки. Проведено серії технологічних процесів з отримання скла As2S3, As2Se3, GeS2 і GeSe2 та методом термічного напилення отримано тонкі аморфні плівки, леговані Cd, In та Zn. На основі даних раманівського розсіювання світла, атомної силової мікроскопії, енергодисперсійної рентгенофлуоресцентної спектроскопії та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії визначено характеристики поверхні плівок, перевірено однорідність їх хімічного складу, вивчено характер розподілу легуючих елементів по поверхні плівки та зміну їхнього вмісту з глибиною. Методом раманівської спектроскопії встановлено, що під дією лазерного випромінювання певної довжини хвилі, густини потужності та тривалості опромінення у плівках As2S3:Cd, As2Se3:Cd, As2S3:Zn, As2Se3:Zn, As2Se3:In, GeS2:Cd, GeSe2:Cd внаслідок фотофлюїдизації формуються відповідні нанокристали типу A2B6 та A3B6. Вперше методом раманівського розсіювання світла виявлено формування кристалітів арсеноліту As2O3 на поверхні плівки As2S3 при дії лазерного випромінювання довжиною хвилі 325 нм при густинах потужності більших за 150 кВт/см2. Встановлено, що такі обумовлені дією ультрафіолетового опромінення процеси окислення та формування кристалітів As2O3, не фіксуються при менших густинах потужностей, а також при дії лазерного випромінювання з видимого оптичного діапазону (514.7 нм та 632.8 нм). Отримані результати показують можливість утворення нанокристалів А2В6 у матриці аморфних фоточутливих халькогенідів під дією лазерного випромінювання, демонструють застосовність підходів, заснованих на оптичній спектроскопії, для неруйнівної діагностики хімічного складу напівпровідникових наноструктур. Опис продукції Автори роботи Ажнюк Юрій Миколайович Биров Микола Миколайович Войнарович Іван Миколайович Гасинець Степан Михайлович Гомоннай Олександр Васильович Красилинець Василь Миколайович Кришеник Володимир Михайлович Лопушанський Василь Володимирович Лоя Василь Юрійович Попович Костянтин Павлович Роман Іван Юрійович Соломон Андрій Михайлович Чичура Іван Іванович Додано в НРАТ 2024-01-19 Закрити