Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U001491, 0122U200830 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології росту структур на основі антимоніду індію та виготовлення тестових зразків фотодіодів Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, д.т.н. Дата реєстрації 23-01-2024 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис етапу  Розроблені технологічні інструкції щодо вибору температурних та часових параметрів імпульсного охолодження підкладки і режимів легування епітаксійного шару p-InSb, які забезпечують кристалізацію шарів p-InSb товщиною 1-3 мкм з концентрацію дірок (0,5-5)•1015см-3. Розроблена технологічна інструкція формування епітаксійної структури n-InSb/p-InSb. Виготовлено експериментальні зразки структур р-InSb/n-InSb та проведено дослідження їх параметрів. Розроблена методика контролю зворотних струмів в p-n InSb переході на основі дослідження вольт-амперних характеристик тестових меза-фотодіодів. Опис продукції Автори роботи Іжнін Ігор Іванович Кость Ярослав Ярославович Круковський Семен Іванович Притуляк Богдан Богданович Рейкін Борис Олександрович Додано в НРАТ 2024-01-23 Закрити