Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U002412, 0122U200830 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології росту структур на основі антимоніду індію та виготовлення тестових зразків фотодіодів Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, д.т.н. Дата реєстрації 13-02-2024 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис етапу  Розроблена та виготовлена технологічна оснастка для росту структур р-InSb/n-InSb методом рідинно-фазної епітаксії з використанням імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву; розроблена та відпрацьована технологія росту епітаксійних структур р-InSb/n-InSb. Розроблена технологічна інструкція росту епітаксійних структур р-InSb/n-InSb, виготовлені експериментальні зразки структур та тестові зразки меза-фотодіодів. Розроблені методики контролю параметрів структур та меза-фотодіводів. Методами рентгенівської дифрактометрії і вторинної іонної масспектрометрії та ізотопного аналізу підтверджена висока структурна досконалість нарощених РФЕ епітаксійних шарів p-InSb та присутність в них легуючої домішки Cd. Розроблені Програми і методики та проведені попередні і приймальні випробовування експериментальних структур р-InSb/n-InSb та тестовх зразків меза-фотодіодів, які підтвердили відповідність параметрів виготовлених структур вимогам Технічного завдання. Підготовлено заключний Звіт по Науково-технічній роботі. Опис продукції Автори роботи Іжнін Ігор Іванович Кость Ярослав Ярославович Круковський Семен Іванович Притуляк Богдан Богданович Рейкін Борис Олександрович Додано в НРАТ 2024-02-13 Закрити