Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U002596, 0120U105573 , Науково-дослідна робота Назва роботи Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатенко Юрій Павлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-02-2024 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкти досліджень: гетероструктури на основі тонких плівок напівпровідників р-типу, а саме кестеритових сполук Cu2ZnSnS4, оксидів металів CuO та NiO, а також наноструктурованих плівок п-типу ZnO, одержані в результаті їх синтезу колоїдно-поліольним методом та осадженням наноструктурованих плівок з використанням розроблених наночорнил шляхом друку на 2D- та 3D принтерах. Мета роботи :. аналіз сучасного стану оптичних досліджень наноструктурованих напівпровдникових гетероструктур на основі кестеритів та оксидів металів, отриманих різними фізико-хімічними методами. Встановлення природи електронних процесів у досліджуваних гетероструктурах, одержаних з використанням методу друку на 2D- та 3D принтерах, природи дефектів та їх фазового стану, а також оптичної якості в залежності від фізико-хімічних умов їх отримання. Встановлено, що гетероструктури ITO/ZnO:In/ZnO/CZTS:Mg та ITO/ZnO:In/ZnO/CuO проявляють поглинання та фоточутдивість в широкій спектральній області від 350 до 1000 нм, яке в короткохвильовій області спектру пов’язано із шарами оксиду цинку, а в довгохвильовій - зумовлено поглинанням кестеритами або оксидом міді. Для гетероструктури ITO/ZnO:In/ZnO/NiO поглинання, в основному, спостерігається в ультрафіолетовій області спектру. Виявлено також поглинання, пов’язане із утворенням перехідного шару на границі розділу шарів ZnO та кестеритів, оксидів міді чи нікелю. Визначено значення Eg для шарів ZnO, CuO, NiO та кестеритів, оптичну якість, природу дефектів та електронних процесів в досліджуваних гетероструктурах, а також їх залежність від температури відпалу. Показано, що гетероструктури ITO/ZnO:In/ZnO/CZTS:Mg та ITO/ZnO:In/ZnO/CuO є перспективними наноматеріалами для розробки ефективних сонячних комірок, в той час як гетероструктура ITO/ZnO:In/ZnO/NiO може бути придатною для розробки новітніх ультрафіолетових детекторів.   Опис продукції Автори роботи Буківський Анатолій Петрович Гнатенко Юрій Павлович Додано в НРАТ 2024-02-20 Закрити