Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0299U001723, 0198U002754 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка рентгенодифракційних методів та дослідження структури і границь розподілу напівпровідникових кристалів Назва етапу роботи Керівник роботи Раранский Н.Д., Дата реєстрації 14-12-1999 Організація виконавець Чернівецький державний університет ім. Ю. Федьковича Опис етапу Об'єкт дослідження: кристали Si після іонної імплантації та Cd1-x Hgx Te/CdTe після іонного травлення. Ціль роботи : розробка рентгенодифракційних методів і експериментального устаткування, приставок, а також интерфейсного і програмного забезпечення для структурної діагностики кристалів. Методи дослідження : одно- і двокристальна рентгенівська дифрактометрия, топографія, а також основні рівняння динамічної теорії розсіювання рентгенівських променів ідеальними і реальними кристалами. Використовувана апаратура : установки ДРОН -3, УРТ -1, ЕОМ. Результати: проведені комплексні рентгенодифракційні дослідження структурних змін у приповерхневих прошарках кристала кремнію при імплантації іонів фосфору з енергією 180 КеВ і дозою порядку 10 у 15 ступені іон/см у кв. Визначені межі аморфизації, значення максимальних деформацій і протяглість області упругих деформацій. Оцінено можливі розміри і концентрації дислокаційних петель до і після отжига. У схемі косонесимметричной дифракції досліджувана дія травлення Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити